本发明涉及一种用于工业塑料零件的定位压铆装置，包括固定组件、驱动导向组件、减震组件和压铆组件。固定组件包括固定板一、固定板二、固定板三和固定板四。驱动导向组件包括液压缸和若干根导向杆。减震组件包括可收缩缸和弹簧减震阻尼器。压铆组件包括热源机构、支撑盘和压铆仓。支撑盘内部设有密闭气室。压铆仓包括压铆腔体、压铆仓端盖、传动轴、压铆针、复位弹簧和定位腔体。传动轴的上端向上伸入至密闭气室中，依次从运动件二、运动件一中间穿过并与运动件二、运动件一固定相连。本发明能够解决现有技术中存在的不足，避免工业塑料零件受损，提高工业塑料零件与螺母的压铆质量和压铆效率。

本发明涉及一种捡球机器人，包括行走机构、捡球机构、推球机构和存球机构。捡球机构包括捡球篮、用于驱动捡球篮上下运动的气缸、用于为气缸提供气源的储气罐、设置在储气罐出气口处的电磁阀、与储气罐相连的微型气泵和设置在捡球篮后端开口处的遮挡组件。微型气泵的输入端上安装有齿轮一。推球机构包括旋转排球组件。旋转排球组件包括双向电机、通过皮带组件与双向电机的输出轴一相连的旋转叶轮、安装在双向电机输出轴二上的齿轮二、通过安装在其一端的齿轮三与齿轮二啮合相连的齿轮传动轴、安装在齿轮传动轴另一端且与齿轮一啮合相连的齿轮四。本发明具有结构简单、操作便利、捡拾成功率和捡拾效率高等特点。

本发明涉及智慧楼宇的电力管理技术领域，为了解决现有的智慧楼宇中因为电脑忘记关机而出现电能浪费的问题，提供了一种智慧楼宇系统，包括管理终端，管理终端包括监控模块，用于对办公区域进行监控并得到办公区域内的停留人数；管理终端还包括通信模块，用于与办公区域内的电脑进行通信；控制模块，用于在停留人数为零时控制办公区域内的电脑向通信模块上传工作状态；识别模块，用于对上传的工作状态进行识别，当识别到工作状态为空闲时，控制模块控制相应的电脑进行关机操作。

本发明公开了一种可夹紧式电动车助推器及其中间夹紧结构，电动车助推器包括前轮助推结构、后轮助推结构以及中间夹紧结构，所述前轮助推结构与所述后轮助推结构通过所述中间夹紧结构活动连接。本发明可夹紧式电动车助推器的整体结构紧凑、布局合理，在不使用时，前轮助推结构通过前轮支撑架折叠与后轮助推结构通过后轮支撑架折叠以实现整个可夹紧式电动车助推器的折叠收纳，便于携带；在电动车发生爆胎、没气时，可将电动车轮胎放置于中间夹紧结构，通过中间夹紧结构实现对电动车轮胎的夹紧与放松，并通过前轮助推结构与后轮助推结构相互配合，实现对电动车轮胎的周向限位，保证了电动车行驶过程中的安全性与可靠性。

本发明属于物流机器人技术领域，尤其为一种快递分拣用的具有自主控制平衡的物流机器人，包括车体以及安装在所述车体上的蓄电池，所述车体上还安装有分拣组件；在此装置上设置了分拣组件，用户通过此分拣组件，可以在对货物进行夹持以及分拣的时候，通过调节导轨的位置，使分拣组件受到力的位置发生改变，从而实现自主控制平衡，这样可以有效的防止倾倒，并且在此机构上加入了升降组件以及平衡组件，升降组件可以对分拣组件的高度进行调节，平衡组件在承接分拣组件的货物后，可以通过自身的调节，使货物不会集中到某一区域，避免造成重量上的不平衡。

本发明属于零件加工技术领域，尤其为一种机器人制造用零配件加工毛边修磨处理装置，包括修磨加工装置，所述修磨加工装置包括有下料机构、打磨动力机构、打磨机构、卸料机构、触发动力机构和解除机构，所述下料机构的可供管状零配件进行下料，所述下料机构的下侧设置有所述触发动力机构，所述下料机构的一端安装有所述打磨动力机构，所述打磨动力机构的顶端内侧安装有所述打磨机构，所述打磨动力机构的内侧安装有所述卸料机构，所述卸料机构的一端安装有所述解除机构，通过设置的修磨加工装置，可以实现自动上料、加工和卸料的工作，并且不需要传统的人工方式参与，也不需要复杂电控并且造价昂贵的机械人或者工业机械手的参与，相对造价更低。

本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。

本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P‑base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。

本发明涉及一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构，属于半导体技术领域。该器件在传统MPS器件的基础上，引入沟槽SiO2介质区和P型保护环，具有优点：(1)在正向导通单极性导电模式下，沟槽SiO2介质区和P型保护环对电子具有阻挡作用，阻碍电子直接流向肖特基接触区，使得电子在P+发射区下方不断地积累，P+N‑结达到开启电压后向N‑低浓度外延层注入空穴，器件进入双极性导电模式从而有效抑制电压回跳现象，最终消除snapback效应。(2)在反向击穿时，沟槽SiO2介质区和P型保护环屏蔽肖特基结的表面电场，将表面最大电场引入体内，使器件在体内发生击穿，从而减小器件的反向漏电流。

本发明涉及一种具有集电极多晶硅电子通道的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件具有以下三个特点：(1)将传统RC‑IGBT的P集电极区分割成高浓度的P+空穴区和低浓度的P型电子阻挡层两段。(2)N+集电极设置在高浓度的P+空穴区内。(3)集电极底部引入N型多晶硅层。正向导通时，通过调整多晶硅层和P型电子阻挡层的掺杂，可以改变集电极短路电阻RCS，从而完全消除snapback效应；关断时，多晶硅层可以快速提取电子，有效降低关断损耗；仿真结果表明：与TRC RC‑IGBT相比，该器件正向导通时完全消除了snapback效应，且在同样正向导通压降为2.8V时，其关断损耗Eoff降低了59％。