本发明属于半导体制备技术领域,尤其涉及一种半导体器件制备方法,包括以下步骤:步骤一:将处理装置与射频匹配器连通;步骤二:使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接;步骤三:使用多根管道向处理装置内通入成膜气体;步骤四:使用处理装置对成膜气体进行均匀混合,并对成膜气体进行过筛;步骤五:从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内,射频匹配器对成膜气体进行电离;步骤六:经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体,所述处理装置包括处理盒,处理盒内固接有连杆,连杆上转动连接有扇叶,处理盒内固接有滤板,处理盒上转动连接有转杆,能够在对气体进行混合过程中监测设备运行情况,及时发现设备故障。