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专利号: 2023213003801
申请人: 张家港意发功率半导体有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,包括:肖特基芯片、封装基体、散热板和绝缘固定座,所述绝缘固定座设置在封装基体中,所述绝缘固定座的底部延伸至封装基体的底面,所述散热板设置在绝缘固定座的顶部并位于封装基体的顶面,所述绝缘固定座正面内凹设置有与肖特基芯片对应的定位槽,所述肖特基芯片设置在定位槽中,所述散热板底部设置有向下延伸的导热板,所述绝缘固定座的底面内凹设置有定位孔。

2.根据权利要求1所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述导热板与散热板采用一体化结构。

3.根据权利要求1所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述肖特基芯片的顶部设置有延伸至封装基体左侧下方的第一引脚,所述肖特基芯片的底部设置有延伸至封装基体右侧下方的第二引脚。

4.根据权利要求3所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述肖特基芯片的顶面设置有固定第一引脚的第一导热胶层,所述肖特基芯片的底面设置有固定第二引脚的第二导热胶层。

5.根据权利要求1所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述封装基体的顶面内凹设置有与导热板对应的嵌入槽,所述嵌入槽的底部位于定位槽的上方。

6.根据权利要求1所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述定位孔的数量至少为2个。