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专利号: 2022231048327
申请人: 德兴市意发功率半导体有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,包括:绝缘封装基体、肖特基芯片、预埋定位座、第一引脚和第二引脚,所述预埋定位座设置在绝缘封装基体中,所述预埋定位座包括底板、立板、托板和压板,所述立板竖向设置在底板上,所述压板和托板上下间隔设置在立板的正面,所述肖特基芯片设置在立板的正面并位于压板和托板之间,所述第一引脚从肖特基芯片的顶部向下弯折,途径底板左端后向外延伸至绝缘封装基体左侧,所述第二引脚从肖特基芯片的底部向下弯折,途径底板右端后向外延伸至绝缘封装基体右侧。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述底板位于绝缘封装基体的底部。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述底板底面间隔设置有第一定位孔。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述立板顶部向上延伸至绝缘封装基体的顶面。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述立板顶部内凹设置有第二定位孔。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述底板、立板、托板和压板采用一体化结构。

7.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述第一引脚顶部与压板底面相接触,所述第二引脚上部与托板顶面相接触。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管自定位封装结构,其特征在于,所述肖特基芯片的顶部设置有与第一引脚相连接的第一导电胶,所述肖特基芯片的底部设置有与第二引脚相连接的第二导电胶。