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专利号: 2023212681450
申请人: 张家港意发功率半导体有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,包括:引脚定位座、封装基体、肖特基芯片、第一引脚和第二引脚,所述肖特基芯片设置在封装基体中,所述第一引脚包括第一连接片、第二连接片和第三连接片,所述第一连接片水平设置在肖特基芯片的上方,所述第二连接片从第一连接片左端向下倾斜延伸至肖特基芯片的左侧下方,所述第三连接片设置在第二连接片的底部并向左水平延伸至封装基体外侧,所述第二引脚包括第四连接片、第五连接片和第六连接片,所述第四连接片水平设置在肖特基芯片的下方,所述第五连接片从第四连接片的右端向下倾斜延伸至肖特基芯片的右侧下方,所述第六连接片设置在第五连接片的底部并向右水平延伸至封装基体外侧,所述引脚定位座包括定位板、第一压块和第二压块,所述定位板设置在封装基体中并位于第三连接片与第六连接片之间,所述第一压块位于第二连接片和第三连接片连接处的上方,所述定位板左端设置有斜向上延伸并与第一压块相连接的第一连接块,所述第二压块位于第五连接片和第六连接片连接处的上方,所述定位板右端设置有斜向上延伸并与第二压块相连接的第二连接块。

2.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述第一连接块位于第二连接片的后方,在定位板左端与第一压块之间形成位于第一连接块前方的第一卡槽。

3.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述第二连接块位于第五连接片的后方,在定位板右端与第二压块之间形成位于第二连接块前方的第二卡槽。

4.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述肖特基芯片的顶部设置有固定第一连接片的第一导电胶层。

5.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述肖特基芯片的底部设置有固定第四连接片的第二导电胶层。

6.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述定位板位于封装基体的底部。

7.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述定位板上间隔设置有定位孔。

8.根据权利要求1所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构,其特征在于,所述定位板、第一连接块、第二连接块、第一压块和第二压块采用一体化绝缘塑料结构。