1.一种GaN基肖特基二极管，包括由下至上依次层叠设置的硅衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及Si3N4表面钝化层，其特征在于，还包括：阳极，呈T型设置在Si3N4表面钝化层上，且其底部依次穿过Si3N4表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层的表面，所述阳极与所述GaN沟道层形成肖特基接触；

阴极，设置在Si3N4表面钝化层上，且围设在所述阳极的外周，所述阴极与所述阳极之间存在间距，所述阴极的底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层内部，所述阴极与所述GaN沟道层形成欧姆接触；

氟离子结构，位于所述GaN沟道层内，且位于GaN沟道层中的二维电子气的下方，所述二维电子气位于GaN沟道层与AlGaN势垒层的接面处。

2.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，氟离子结构通过离子注入法注入到GaN沟道层内，其注入能量为80keV。

3.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层均通过金属有机化学气相沉积法制作而成。

4.根据权利要求1或3所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，氟离子结构中离子注入的深度为距离GaN沟道层与AlGaN势垒层的接面20‑25nm。

5.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述Si3N4表面钝化层是采用了LPCVD法在AlGaN势垒层沉积而成。

6.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，在GaN沟道层与AlGaN势垒层间还生长有AlN中间过渡层，所述AlN中间过渡层的层厚为1nm。

7.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述硅衬底与GaN沟道层间还沉积有GaN缓冲层，所述GaN缓冲层采用了PECVD法沉积在硅衬底的上表面。

8.根据权利要求1所述的GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述阴极，其采用的金属材料为Ti/Al/Ni/Au，金属厚度为20/100/40/50nm，所述阳极，其采用的金属材料为Ni/Au，金属厚度为50/150nm。