1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底；

成核层，设置在所述衬底的一侧；

沟道层，设置在所述成核层远离所述衬底的一侧；

势垒层，设置在所述沟道层远离所述成核层的一侧，所述势垒层采用渐变Al组分超晶格结构；

电极层，设置在所述势垒层远离所述沟道层的一侧，所述电极层包括肖特基接触的阳极和欧姆接触的阴极。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述衬底包括金刚石衬底、蓝宝石衬底、GaN衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述成核层的厚度为

15‑50nm。

4.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述沟道层为非故意掺杂的GaN层。

5.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述势垒层的单周期厚度为3‑8nm，周期数为6‑10周期。

6.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阳极包括第一Ni金属层和第一Au金属层，所述第一Ni金属层的厚度为15‑50nm，所述第一Au金属层的厚度为

150‑300nm。

7.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阴极包括Ti金属层、Al金属层、第二Ni金属层和第二Au金属层，所述Ti金属层的厚度为15‑50nm，所述Al金属层的厚度为150‑300nm，所述第二Ni金属层的厚度为15‑50nm，所述第二Au金属层的厚度为

150‑300nm。