1.一种功率半导体器件表面钝化结构，其特征在于，所述钝化结构包括由下至上依次叠加于硅基衬底上表面上的SiO2层、PSG层、Si3N4层及PI层，所述PI层的厚度大于SiO2层、PSG层及Si3N4层中的任一一层的厚度，其余三层厚度一致，所述硅基衬底内、从左至右依次间隔的设置有第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三P型掺杂区及N型掺杂区，所述第一P型掺杂区和N型掺杂区分别位于硅基衬底的左右两侧端部上，所述第一P型掺杂区的面积大于第二P型掺杂区、第三P型掺杂区及N型掺杂区中任一区域的面积。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件表面钝化结构，其特征在于，所述SiO2层采用热氧化生长工艺的方式生长于硅基衬底的上表面上。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件表面钝化结构，其特征在于，PSG层采用LPCVD方法沉积在SiO2层的上表面。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件表面钝化结构，其特征在于，Si3N4层采用脉冲激光沉积方法沉积在PSG层的上表面。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件表面钝化结构，其特征在于，所述硅基衬底为N型Si衬底，或者为N型Si外延层，亦或者为带有N型Si外延层的N型Si衬底。