1.一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，包括上盖板(1)和半导体固定槽(2)，其特征在于：所述上盖板(1)表面设置有半导体固定槽(2)，所述半导体固定槽(2)表面设置有半导体固定板(3)，所述上盖板(1)底端设置有散热层(4)，所述散热层(4)底端设置有底座(6)，所述底座(6)表面设置有固定栓孔(7)，所述散热层(4)前端设置有散热网(5)，所述散热网(5)一侧设置有冷却液加注口(10)，所述半导体固定板(3)一侧设置有识别牌(8)，所述识别牌(8)表面设置有识别二维码(9)。

2.根据权利要求1所述的一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，其特征在于：所述固定栓孔(7)共设置有四个，且四个固定栓孔(7)分别设置在底座(6)表面拐角处。

3.根据权利要求1所述的一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，其特征在于：所述半导体固定板(3)共设置有六个，且六个半导体固定板(3)分别在六个半导体固定槽(2)的上方。

4.根据权利要求1所述的一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，其特征在于：所述半导体固定板(3)表面设置有螺纹槽，通过螺纹槽方便半导体固定板(3)安装。

5.根据权利要求1所述的一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，其特征在于：所述散热层(4)内部设置有大量散热液所述散热层(4)内部与散热网(5)相连接。

6.根据权利要求1所述的一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，其特征在于：所述散热层(4)和散热网(5)采用金属制成的结构。