1.一种IGBT半导体器件，其特征在于，包括：发射极和栅极；

设置于所述发射极的金属层，所述金属层包括依次设置于所述发射极表面的镍层和银层。

2.根据权利要求1所述的IGBT半导体器件，其特征在于，还包括：在所述IGBT芯片的背面设置的背面金属层。