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一种基于N型注入层的IGBT芯片
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专利号:
2021202128096
申请人:
德兴市意发功率半导体有限公司
专利类型:
实用新型
专利状态:
已下证
更新日期:
2026-03-05
缴费截止日期:
暂无
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国家局暂未公布该信息
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