1.一种离子注入跑片装置，其特征在于，包括：

水平进出传送区，所述水平进出传送区具有水平设置的第一传送带，所述第一传送带用于水平运送装载硅片的托盘，所述托盘设有若干平行设置的滑轨及一隔板，所述隔板滑动连接若干所述滑轨以沿所述滑轨移动，所述隔板上开设有两排离子注入孔，两排所述离子注入孔的位置相互交叉错开，所述隔板的宽度小于所述托盘的宽度，所述硅片设于所述托盘上所述隔板的下方；初始时所述隔板的第一排所述离子注入孔对应所述硅片的第一位置；

垂直输送缓冲区，所述垂直输送缓冲区连通所述水平进出传送区，所述垂直输送缓冲区用于垂直向上或向下运送所述托盘；

单个水平传送区，所述单个水平传送区连通所述垂直输送缓冲区，所述单个水平传送区用于先后运送多个所述托盘；所述单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位，所述第一离子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一离子，所述切换硅片位置工位用于移动所述隔板以使所述隔板的第二排所述离子注入孔对应所述硅片的第二位置，所述第二离子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二离子，所述第二位置相异于所述第一位置；所述第一离子注入工位相对所述第二离子注入工位较靠近所述垂直输送缓冲区；

垂直输送储存区，所述垂直输送储存区连通所述单个水平传送区，用于垂直向上或向下运送所述托盘；

真空发生器，所述真空发生器用于对所述水平进出传送区、垂直输送缓冲区及垂直输送储存区抽真空；以及

硅片翻转机构，用于翻转所述托盘上的所述硅片，所述硅片翻转机构包括运转基底与旋转板，所述运转基底开设有对应于所述旋转板的基底空腔，所述旋转板设有沿所述运转基底转动的转轴，所述单个水平传送区还具有硅片翻转工位及第三离子注入工位，所述第三离子注入工位用于将第三离子注入所述硅片具有所述第一离子与第二离子的一面相对的另一面；

所述旋转板开设有旋转板空腔，所述旋转板具有第一面及与所述第一面相对的第二面；所述托盘包括上盘与下盘，所述上盘活动连接所述旋转板并对应所述旋转板的第一面，所述下盘活动连接所述旋转板并对应所述旋转板的第二面，所述上盘开设有上盘硅片腔，所述下盘开设有下盘硅片腔，所述上盘与所述下盘之间的间隙不小于所述硅片的厚度，所述硅片的边缘夹设于所述上盘与所述下盘的边缘，所述滑轨与所述隔板均设于所述上盘。

2.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述单个水平传送区具有两组水平传送带，两组所述水平传送带之间具有预设距离，所述运转基底的边缘分别设于两组所述水平传送带上，以使所述水平传送带带动所述硅片翻转机构与所述硅片移动位置。

3.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述运转基底上开设有多个相互隔离的所述基底空腔，每一所述基底空腔对应一所述旋转板，位于同一线上的多个所述旋转板连接一所述转轴。

4.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述旋转板的第一面对应于所述旋转板空腔的相对两侧分别开设有一第一卡槽，所述第一卡槽内设有第一磁体；所述旋转板的第二面对应于所述旋转板空腔的相对两侧分别开设有一第二卡槽，所述第二卡槽内设有第二磁体；所述上盘对应所述第一卡槽的位置设有一第一卡凸，所述下盘对应所述第二卡槽的位置设有一第二卡凸，所述第一卡凸与所述第二卡凸均由磁性材料制成，所述第一卡凸位于所述第一卡槽内并相互磁性连接，所述第二卡凸位于所述第二卡槽内并相互磁性连接。

5.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述上盘的中部设有第一凸起部，所述下盘的中部设有第二凸起部，所述上盘与所述下盘活动连接所述旋转板后，所述第一凸起部与所述第二凸起部嵌入所述旋转板空腔内。

6.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述硅片翻转工位位于所述第二离子注入工位与所述垂直输送储存区之间，所述第三离子注入工位位于所述硅片翻转工位与所述垂直输送储存区之间。

7.根据权利要求1所述的离子注入跑片装置，其特征在于：所述第三离子注入工位位于所述垂直输送缓冲区与所述第一离子注入工位之间，所述硅片翻转工位位于所述第三离子注入工位与所述第一离子注入工位之间。

8.一种离子注入跑片方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供离子注入跑片装置及托盘，所述提供离子注入跑片装置包括：水平进出传送区，所述水平进出传送区用于水平运送装载硅片的托盘，所述托盘设有若干平行设置的滑轨及一隔板，所述隔板滑动连接若干所述滑轨以沿所述滑轨移动，所述隔板的宽度小于所述托盘的宽度；垂直输送缓冲区，所述垂直输送缓冲区连通所述水平进出传送区，所述垂直输送缓冲区用于垂直向上或向下运送所述托盘；单个水平传送区，所述单个水平传送区连通所述垂直输送缓冲区，所述单个水平传送区用于先后运送多个所述托盘；所述单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位，所述第一离子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一离子，所述切换硅片位置工位用于切换所述硅片的位置，所述第二离子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二离子，所述第二位置相异于所述第一位置；所述第一离子注入工位相对所述第二离子注入工位较靠近所述垂直输送缓冲区；垂直输送储存区，所述垂直输送储存区连通所述单个水平传送区，用于垂直向上或向下运送所述托盘；真空发生器，所述真空发生器用于对所述水平进出传送区、垂直输送缓冲区及垂直输送储存区抽真空；硅片翻转机构，用于翻转所述托盘上的所述硅片，所述硅片翻转机构包括运转基底与旋转板，所述旋转板开设有旋转板空腔，所述旋转板具有第一面及与所述第一面相对的第二面；所述托盘包括上盘与下盘，所述上盘活动连接所述旋转板并对应所述旋转板的第一面，所述下盘活动连接所述旋转板并对应所述旋转板的第二面，所述上盘开设有上盘硅片腔，所述下盘开设有下盘硅片腔，所述上盘与所述下盘之间的间隙不小于所述硅片的厚度，所述硅片的边缘夹设于所述上盘与所述下盘的边缘，所述滑轨与所述隔板均设于所述上盘；所述真空发生器开启抽真空，所述托盘活动连接一隔板，所述隔板上开设两排离子注入孔，两排所述离子注入孔的位置相互交叉错开；

将所述硅片置于拖盘上所述隔板的下方，其中一排所述离子注入孔正对所述硅片的第一位置；

将多个所述托盘放至水平进出传送区，所述水平进出传送区将多个所述托盘运送至所述垂直输送缓冲区，所述垂直输送缓冲区垂直向下运送多个所述托盘，多个所述托盘先后进入所述单个水平传送区；

所述单个水平传送区先后运送多个所述托盘至所述第一离子注入工位，将第一离子通过所述隔板的第一排离子注入孔注入至所述硅片的第一位置；

所述单个水平传送区先后运送多个所述托盘至所述切换硅片位置工位，将所述隔板相对所述托盘移动位置，以使第二排所述离子注入孔正对所述硅片的第二位置；

所述单个水平传送区先后运送多个所述托盘至所述第二离子注入工位，将第二离子通过所述隔板的第二排离子注入孔注入至所述硅片的第二位置；所述单个水平传送区先后运送多个所述托盘至所述垂直输送储存区，所述垂直输送储存区将所述托盘向上运送，然后移出所述离子注入跑片装置。