1.一种具有异质结的超结逆导型IGBT，其元胞结构包括集电极结构、耐压层结构、栅极结构和发射极结构，其中耐压层位于集电极结构之上，栅极结构位于耐压层之上，发射极结构位于耐压层之上；其特征在于，

所述集电极结构包括集电极金属(1)、第一绝缘介质层(2)以及第一P+集电极区(3)；所述集电极金属(1)引出端为集电极；所述第一绝缘介质层(2)位于集电极金属(1)中部上层，第一绝缘介质层(2)的上表面与耐压层及部分第一P+集电极区(3)接触；所述第一P+集电极区(3)位于集电极金属(1)上表面一端，第一P+集电极区(3)的上表面与耐压层接触；

所述耐压层结构包括第一N+场截止层(4)、N漂移区(5)、P漂移区(6)；所述第一N+场截止层(4)覆盖第一P+集电极区(3)的上表面，同时沿第一P+集电极区(3)的侧面向下延伸至与第一绝缘介质层(2)的上表面接触，第一N+场截止层(4)的上表面与N漂移区(5)的下表面接触；所述N漂移区(5)和第一N+场截止层(4)的侧面与P漂移区(6)的侧面接触，N漂移区(5)的上表面与发射极结构和栅极结构接触；P漂移区(6)的下表面与集电极金属(1)上表面接触并形成肖特基接触，P漂移区(6)的上表面与发射极结构接触；

所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅由第二绝缘介质层(13)及位于第二绝缘介质层(13)中的第一导电材料(7)构成；所述沟槽栅位于N漂移区(5)上表面一端并沿器件垂直方向延伸入N漂移区(5)中，第二绝缘介质(13)与发射极结构接触；所述第一导电材料(7)的引出端为栅极；

所述发射极结构包括第一P阱(8)、第二P阱(9)、N+发射极区(10)、第一P+体接触区(11)、第二P+体接触区(12)、发射极金属(14)；所述第一P阱(8)下表面与N漂移区(5)上表面接触，第一P阱(8)一侧的侧面与第二绝缘介质层(13)接触，第一P阱(8)另一侧的侧面与第二P阱(9)接触；所述第二P阱(9)的下表面与P漂移区(6)的上表面接触；所述N+发射极区(10)和第一P+体接触区(11)并列位于第一P阱(8)的上层，且N+发射极区(10)与第二绝缘介质层(13)接触；所述第二P+体接触区(12)位于第二P阱(9)上表面并与第一P+体接触区(11)接触；所述发射极金属(14)下表面与N+发射极区(10)、第一P+体接触区(11)、第二P+体接触区(12)接触，发射极金属(14)引出端为发射极；

所述第一P+集电极区(3)、第一N+场截止层(4)、N漂移区(5)、第一P阱(8)、N+发射极区(10)以及第一P+体接触区(11)采用的材料为硅，而P漂移区(6)、第二P阱(9)以及第二P+体接触区(12)采用的材料为碳化硅。