1.一种超结IGBT终端结构，包括集电极结构、耐压层结构以及发射极结构；

所述集电极结构包括集电极金属(1)、p+集电区(2)以及n‑buffer区(3)，所述n‑buffer区(3)的上表面与耐压层接触；所述p+集电区(2)上表面与n‑buffer区(3)接触，所述集电极金属(1)上表面与p+集电区(2)下表面接触；所述集电极金属(1)引出端为器件集电极；

所述耐压层结构包括n型漂移区(6)和p型漂移区(5)，所述p型漂移区(5)为多个且沿器件横向平行设置在n型漂移区(6)中，从而形成交替的n条和p条；

所述发射极结构包括p型阱区(7)、p+发射区(8)和发射极金属(9)；所述p型阱区(7)位于耐压层上层一端；所述p+发射区(8)位于p型阱区(7)上层；所述发射极金属(9)位于p+发射区(8)上表面；所述发射极金属(9)引出端为器件发射极；

其特征在于，在耐压层远离发射极结构的一侧存在由p+短路区(11)、n+短路区(10)、浮空金属(12)以及p型电阻区(4)构成的区域；所述p型电阻区(4)位于耐压层结构远离发射极结构的一端，且垂直向下贯穿n型漂移区内(6)和n‑buffer区(3)后与p+集电区(2)上表面相接触；所述p+短路区(11)位于p型电阻区(4)上层，所述n+短路区(10)位于n型漂移区(6)上层且与p+短路区(11)接触；所述浮空金属(12)的下表面同时与p+短路区(11)和n+短路区(10)的上表面接触。

2.根据权利要求1所述的一种超结IGBT终端结构，其特征在于，所述n条和p条的宽度相同或者不同。