1.一种超结逆导型栅控双极型器件，其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构、栅极结构以及绝缘介质结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上，绝缘介质结构垂直插入集电极结构、耐压层结构以及发射极结构的中间；

所述发射极结构包括位于耐压层结构上表面的N型载流子存储区(6)，所述N型载流子存储区(6)上表面具有P型阱区(8)，所述P型阱区(8)上表面具有并列设置的N+发射极区(10)和P+体接触区(9)，且N+发射极区(10)位于靠近栅极结构的一侧，N+发射极区(10)和P+体接触区(9)的共同引出端为发射极(E)；

所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅由绝缘介质(11)和位于绝缘介质(11)之中的导电材料(12)构成；所述导电材料(12)的引出端为器件的栅极(G)；所述沟槽栅沿器件垂直方向贯穿P型阱区(8)和N型载流子存储区(6)并延伸入耐压层结构中，沟槽栅的侧面与N型载流子存储区(6)、P型阱区(8)以及N+型发射极区(10)的侧面接触；

所述耐压层结构包括第一漂移区(4)以及第二漂移区(5)，所述第二漂移区(5)与第一漂移区(4)呈间隔分布，所述沟槽栅的底部延伸入第二漂移区(5)中，第二漂移区(5)的上表面与N型载流子存储区(6)下表面接触，所述第一漂移区(4)的上表面与N型载流子存储区(6)的下表面接触；所述第一漂移区(4)的掺杂杂质与第二漂移区(5)的掺杂杂质是极性相反两种掺杂，所述第一漂移区(4)与第二漂移区(5)组成超结结构；

所述集电极结构包括P+集电极区(2)、N+集电极区(1)和N型缓冲层(3)，所述N型缓冲层(3)的上表面与耐压层相连接，所述P+集电极区(2)以及N+集电极区(1)的上表面与N型缓冲层(3)相连接，所述P+集电极区(2)与第二漂移区(5)位于同一侧，且横向宽度大于或等于第二漂移区(5)的横向宽度，所述N+集电极区(1)与第一漂移区(4)位于同一侧，且其横向宽度小于或等于P型漂移区(5)的横向宽度；所述P+集电极区(2)以及N+集电极区(1)的共同引出端为集电极(C)；

所述绝缘介质结构为绝缘介质(7)，绝缘介质(7)位于第一漂移区(4)及第二漂移区(5)的垂直分界线处，并沿着垂直分界线处向上依次穿过N型载流子存储区(6)、P型阱区(8)以及P+体接触区(9)，同时沿着垂直分界线处向下穿过N型缓冲层(3)，其下表面与P+集电极区(2)接触。