1.一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻IGBT，其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上：所述集电极结构包括P型集电极层(1)和位于P型集电极层(1)上表面的场截止层即第一N型层(2)；P型集电极层引出端为器件的集电极；

所述耐压层包括N型条(4)和与其并列设置的P型条(3)，所述N型条(4)和P型条(3)均位于第一N型层(2)上表面；所述N型条(4)和P型条(3)构成超结结构；

所述发射极结构包括位于耐压层结构上表面的第二N型层(5)和位于第二N型层(5)上表面的P型阱区(6)，所述P型阱区(6)上层具有相互独立的N型发射极区(8)和P型体接触区(7)；所述N型发射极区(8)和P型体接触区(7)的共同引出端为发射极；

所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅由第一绝缘介质(9)和位于第一绝缘介质(9)之中的第一导电材料(10)构成；所述第一导电材料(10)的引出端为器件的栅极；所述沟槽栅从器件表面垂直穿过P型阱区(6)与第二N型层(5)并延伸入N型条(4)中，沟槽栅的侧面与第二N型层(5)、P型阱区(6)、N型发射极区(8)接触；所述沟槽栅的水平宽度小于N型条(4)的水平宽度；

其特征在于，所述集电极结构的第一N型层(2)，其浓度分布为从左至右逐渐增加，所述左右的定义是N型条(4)一侧为左，P型条(3)一侧为右；所述P型条(3)的上表面与第二N型层(5)下表面连接。

2.一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻IGBT，其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上：所述集电极结构包括P型集电极层(1)和位于P型集电极层(1)上表面的场截止层即第一N型层(2)；P型集电极层引出端为器件的集电极；

所述耐压层包括N型条(4)和与其并列设置的P型条(3)，所述N型条(4)和P型条(3)均位于第一N型层(2)上表面；所述N型条(4)和P型条(3)构成超结结构；

所述发射极结构包括位于耐压层结构上表面的第二N型层(5)和位于第二N型层(5)上表面的P型阱区(6)，所述P型阱区(6)上层具有相互独立的N型发射极区(8)和P型体接触区(7)；所述N型发射极区(8)和P型体接触区(7)的共同引出端为发射极；

所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅由第一绝缘介质(9)和位于第一绝缘介质(9)之中的第一导电材料(10)构成；所述第一导电材料(10)的引出端为器件的栅极；所述沟槽栅从器件表面垂直穿过P型阱区(6)与第二N型层(5)并且其下表面与P型条(4)接触，沟槽栅的侧面与第二N型层(5)、P型阱区(6)、N型发射极区(8)接触；

其特征在于，所述集电极结构的第一N型层(2)，其浓度分布为从左至右逐渐增加，所述左右的定义是N型条(4)一侧为左，P型条(3)一侧为右；所述P型条(3)的上表面与第二N型层(5)下表面连接。