1.一种GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：步骤一，在衬底上方形成SiGe第一牺牲层和Si半导体纳米片层交错的SiGe/Si/SiGe的堆叠结构，半导体纳米片层为n型Si材料，对SiGe/Si/SiGe的堆叠结构进行刻蚀，剩余的第一牺牲层形成第二牺牲层，剩余的半导体纳米片层形成集电区；

步骤二，在SiGe/Si/SiGe的堆叠结构上方形成虚拟栅，在虚拟栅上淀积Si3N4硬掩膜层；

步骤三，在Y方向上，对第二牺牲层的两端进行侧向刻蚀，使得第二牺牲层的两端相对于集电区向内凹陷，未被去除的第二牺牲层形成第三牺牲层，并在器件表面淀积SiO2第一支撑层；

步骤四，在所述SiO2第一支撑层上方淀积第一SiON层，并使器件平面化；

步骤五，对器件表面向下进行各向异性刻蚀，以虚拟栅为刻蚀停止层，去除Si3N4硬掩膜层以及部分SiO2第一支撑层和部分第一SiON层，未被去除的SiO2第一支撑层和第一SiON层形成SiO2第二支撑层和第二SiON层；

步骤六，去除虚拟栅形成第一凹槽，接着采用选择性横向刻蚀去除第一凹槽正下方对应的第三牺牲层，未被去除的第三牺牲层形成第四牺牲层，使位于第一凹槽内的集电区悬于衬底上方，并使其圆角化，形成剖面图为跑道状结构；

步骤七，在第一凹槽中淀积SiO2第一绝缘层，接着对器件进行平面化；

步骤八，旋涂一层光刻胶，将掩膜版上的图形转移到光刻胶，以光刻胶为掩膜，在Y方向上，去除第四牺牲层正上方的SiO2第二支撑层和第二SiON层，并去除第四牺牲层，从而形成第二凹槽和第三凹槽，未被去除的第二SiON层形成第三SiON层，未被去除的SiO2第二支撑层形成SiO2第三支撑层，使位于第二凹槽和第三凹槽的集电区部分悬于衬底上方，并使其圆角化，形成剖面跑道形状的结构，然后在800℃～1200℃的温度下进行氢退火；

步骤九，在位于第二凹槽和第三凹槽的集电区周围，外延生长基区；

步骤十，去除光刻胶，在第二凹槽和第三凹槽淀积SiO2，对器件进行平面化，然后在Y方向上，去除SiO2第一绝缘层两侧的部分所述SiO2，从而形成第四凹槽和第五凹槽，在第四凹槽和第五凹槽内集电区和基区部分悬于衬底上方未被去除的SiO2与SiO2第三支撑层共同形成第四支撑层；

步骤十一，在位于第四凹槽和第五凹槽的基区周围，外延生长形成发射区，去除第三SiON层接着再次淀积SiO2，并采用CMP方法使器件平面化，此步骤淀积的SiO2与步骤十中未被去除的SiO2共同形成第二绝缘层；

步骤十二，步骤十一得到的器件表面淀积高应力的Si3N4覆盖层，在Si3N4覆盖层表面分别刻蚀出集电极窗口、基极窗口和发射极窗口，并在各窗口内淀积多晶硅，形成集电极、基极和发射极。

2.如权利要求1所述的GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：其利用与全环绕栅场效应晶体管制备工艺兼容的设备实施制备方法。

3.如权利要求1所述的GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：所述基区为压缩应变的p型SiGe，与集电区形成全包围式集电结。

4.如权利要求1所述的GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：所述发射区为n型Si，与基区形成全包围式异质发射结。

5.如权利要求1所述的GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤四中，利用化学机械抛光CMP使器件平面化；

在步骤六和步骤八中，利用先氧化再湿法刻蚀的方法，使集电区圆角化，所述集电区为n型Si半导体纳米片。

6.如权利要求1所述的GAA结构的异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤七中，采用HDP CVD的方式沉积SiO2，利用化学机械抛光CMP使器件平面化。

7.一种GAA结构的异质结双极晶体管，其特征在于：其通过权利要求1‑6任意一项所述的制备方法来制备，包括Si衬底、SiO2第二绝缘层、n型Si发射区、p型SiGe基区、n型Si集电区、Si3N4应力层、发射极、基极和集电极；

所述发射区上方形成多晶硅发射极；基区上方形成多晶硅基极；集电区上方形成多晶硅集电极；

所述Si3N4应力层覆盖器件表面，提供单轴应力，提高载流子迁移率。

8.如权利要求7所述的GAA结构的异质结双极晶体管，其特征在于：所述集电区被基区包围，形成Si/SiGe全环绕式集电结；

同时所述基区被发射区包围，形成Si/SiGe全环绕式异质发射结。

9.如权利要求7所述的GAA结构的异质结双极晶体管，其特征在于：n型Si集电区厚度为10nm‑100nm；

p型SiGe基区厚度为10nm‑50nm；

n型Si发射区厚度为10nm‑100nm。