1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，所述晶体管选取晶向为（110）的P型掺杂的单晶Si作为衬底；在所述单晶Si衬底上外延一层N+掺杂的单晶Si层，作为埋层；在所述埋层表面外延一层N-掺杂的单晶Si层，作为集电区；所述集电区形成三块厚度为400nm的STI结构以实现集电极和基极的隔离，并对所述集电区的右侧区域进行N+掺杂；对所述N-掺杂的集电区进行离子注入，在两侧形成P+掺杂，作为非本征基区；在器件表面淀积一层厚度为1-2μm的SiO2层以定义有源区的位置；在所述有源区选择性外延P型SiGe层基区，本征Si帽层和N+掺杂的多晶Si层发射区后在器件表面淀积氮化物层；光刻所述氮化物层和SiO2层，并刻蚀所述P+掺杂的非本征基区；进而选择性外延嵌入式SiGe层；在所述嵌入式SiGe层上外延多晶SiGe层，在器件表面再次淀积SiO2层，并进行CMP；在器件表面再次淀积氮化物层；光刻所述再次淀积的氮化物层，刻蚀所述厚度为1-2μm的SiO2层和所述再次淀积的SiO2层，并淀积金属硅化物，以形成发射极、基极和集电极接触。

2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射区和所述基区具有相同的物理结构。

3.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射区宽度为90纳米。

4.一种异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于，其包括以下具体步骤：步骤1，选取单晶硅掺杂浓度为1015cm-3晶向为（110）的P型初始材料，作为衬底；

步骤2，在P型掺杂的单晶Si衬底上外延一层掺杂浓度为1018cm-3的N+掺杂的单晶Si层，作为埋层；

步骤3，在N+掺杂的埋层表面外延一层掺杂浓度为1016cm-3的N-掺杂的单晶Si层，作为集电区；

步骤4，所述步骤3所得到的集电区上形成三块厚度为400nm的STI结构以实现集电极和基极的隔离；

步骤5，采用Mask1对所述步骤4得到的右侧两个STI结构之间的区域进行N+掺杂，作为集电区接触；

步骤6，在所述步骤5得到的器件上表面淀积一层厚度为50nm的SiO2层，并采用Mask2，光刻SiO2层；

步骤7，用所述步骤6得到的SiO2层作为掩蔽层，对N-掺杂的集电区进行P+掺杂，该P+掺杂区域作为器件非本征基区的一部分；

步骤8，去除所述步骤7中的SiO2层掩蔽层，并在器件上表面淀积厚度为1-2μm的SiO2层；

步骤9，采用Mask3，刻蚀所述步骤8得到的SiO2层并定义有源区的位置，依次选择性外延作为基区的P型SiGe层，本征Si帽层和作为发射区的N+掺杂多晶Si层；

步骤10，在所述步骤9得到的器件上表面淀积氮化物层；

步骤11，采用Mask4，刻蚀所述步骤10得到的氮化物层；

步骤12，刻蚀所述步骤8得到的SiO2层，得到通孔层；

步骤13，刻蚀所述步骤7得到的P+掺杂区域，并选择性外延嵌入式SiGe层；

步骤14，在所述步骤13得到的嵌入式SiGe层上选择性外延多晶SiGe层；

步骤15，在通孔层再次淀积SiO2层，然后进行CMP；

步骤16，在所述步骤15得到的器件上表面淀积氮化物层，并采用Mask5刻蚀所述氮化物层；

步骤17，刻蚀所述步骤15得到的器件上的SiO2层；

步骤18，淀积硅化物以形成金属接触，进而形成集电极接触、基区接触和发射区接触。