1.一种高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：包括，晶面为(100)单晶Si的衬底；

单晶Si衬底上淀积有埋氧化层，和单晶Si衬底和集电区的Si材料组成SOI结构；

基极窗口所对应的集电区的位置注入有硼离子；

集电区的一端刻蚀有凹槽一形成STI隔离区，以及凹槽二，淀积填充重掺杂的Si材料；

阶梯型分布的基区的Ge组分；

浅沟槽隔离(105)位于集电区(103)和淀积重掺杂的Si材料(106)之间，Ge位于集电区(103)之上；

基区上方淀积有一层单晶Si薄层作为“盖帽层”；

单晶Si薄层上淀积有N+多晶硅作为发射极；

使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料，刻蚀有发射极窗口和基区窗口；

SiGe基区以外的外基区部分位于衬底之中，以提高器件的放大系数和频率；

在所述基区有单轴压应力的SOI SiGe HBT异质结双极晶体管结构，使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料，将本征应力传递到发射区和基区领域，以及集电区表面，施加的应力改变器件的能带结构，增强载流子的迁移率；

同时Si和Ge的晶格常数不同，使高频硅锗异质结双极晶体管的基区受到由Si3N4材料所引起的单轴应力和衬底引起的双轴应力作用，形成单轴应变发射区以及复合应变基区。

2.一种高频硅锗异质结双极晶体管制造方法，其特征在于：该方法为：选取晶面为(100)单晶Si衬底；

在单晶Si衬底上淀积埋氧化层，使其和单晶Si衬底和集电区的Si材料组成SOI结构；

在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；

在集电区的一端刻蚀出一个凹槽形成STI隔离区，再次刻蚀出一个凹槽，淀积填充重掺杂的Si材料；

在基区的Ge组分采用阶梯型分布；

在基区上方淀积一层单晶Si薄层作为“盖帽层”；

在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；

使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料，刻蚀出发射极窗口和基区窗口；

SiGe基区以外的外基区部分位于衬底之中，以提高器件的放大系数和频率；

所述使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料后，将自身的本征应力传递到硅沟道中去，施加的应力改变器件的能带结构，增强载流子的迁移率；同时Si和Ge的晶格常数不同，使高频硅锗异质结双极晶体管的基区受到由Si3N4材料所引起的单轴应力和衬底引起的双轴应力作用，形成单轴应变发射区以及复合应变基区。