1.一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，所述双极晶体管选取晶向为(001)的N型掺杂的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上外延一层Ge组分渐变的N型SiGe层，作为亚集电区，并在所述SiGe层右侧区域进行N+掺杂；在所述SiGe层表面淀积一层1-2微米厚的SiO2层以定义有源区的位置；在所述有源区依次外延作为集电区的N型In1-xGaxP层，作为基区的P型SiGe层和本征Si帽层；在所述1-2微米厚的SiO2层和本征Si帽层表面依次淀积氮化物层和氧化物层，刻蚀所述氮化物层和氧化物层，在刻蚀后的氮化物层和氧化物层表面再次淀积氧化层并刻蚀，形成边墙氧化层；在所述边墙氧化层上淀积多晶硅作为发射区；在上述得到的器件表面外延一层氧化层，作为发射区的表面覆盖氧化层，刻蚀所述表面覆盖氧化层以及所述氮化物层上的氧化物层，刻蚀氮化物层，在氮化物所在位置选择性外延多晶硅层并刻蚀，作为非本征基区；淀积非本征基区的边墙氧化层；分别刻蚀发射区、非本征基区和亚集电区，并淀积金属硅化物，以形成发射极、基极和集电极接触。

2.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，采用N型In1-xGaxP，作为SiGe-HBT的集电区材料，并选择In和Ga的组分摩尔比x，0≤x≤1，使得所述集电区材料和所述亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数。

3.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，采用SiGe/Si结构异质外延N型In1-xGaxP材料作为集电区。

4.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，在所述有源区采用MBE的方法依次外延作为集电区的N型In1-xGaxP层，P型SiGe层和本征Si帽层。

5.一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，其包括以下具体步骤：步骤1，选取单晶硅掺杂浓度为1015cm-3、晶向为(001)的初始材料，作为衬底；

步骤2，在N掺杂的单晶Si衬底上，淀积厚度为50纳米的SiO2层；

步骤3，采用Mask1，光刻所述SiO2层，然后选择性外延一层Ge组分渐变的N型SiGe层作为异质结双极晶体管的亚集电区，且所述N型SiGe层顶层的Ge组分为20％；

步骤4，采用Mask2，在步骤3所述的N型SiGe层的右侧进行离子注入，形成N+区；

步骤5，在所述步骤4得到的器件上表面淀积1-2微米厚的SiO2层；

步骤6，采用Mask3，刻蚀并定义有源区的位置，依次选择性外延作为集电区的N型In1-xGaxP层、P型基区SiGe层和本征Si帽层；

步骤7，在所述步骤6形成的器件表面依次淀积氮化物层和氧化物层，采用Mask4和Mask5刻蚀所述氮化物层和氧化物层；

步骤8，在所述步骤7形成的器件表面淀积氧化层，采用Mask6刻蚀所述氧化层，以形成EB边墙氧化层；

步骤9，在所述氧化层选择性外延N+多晶硅发射区，并进行CMP后形成N+发射区；

步骤10，在所述步骤9得到的器件表面外延一层氧化层，作为发射区的表面覆盖层；

步骤11，刻蚀所述步骤7中的氮化物层，然后采用Mask7刻蚀所述步骤8中氧化层；

步骤12，在所述步骤11得到的器件上表面选择性淀积P+多晶硅层，采用Mask8，刻蚀所述P+多晶硅层后形成器件的非本征基区；

步骤13，在所述步骤12得到的器件上表面淀积氧化层，并采用Mask9，刻蚀本步骤所淀积的氧化层，以形成边墙氧化层；

步骤14，刻蚀发射区、非本征基区和亚集电区，并淀积硅化物以形成金属接触，进而形成集电极接触、基区接触和发射区接触。

6.根据权利要求5所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤6中，在有源区采用MBE的方法进行选择性外延。

7.根据权利要求5所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤6中，适当的选择In和Ga的组分摩尔比，使得所述集电区材料和所述亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数。

8.根据权利要求5所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤6中，采用SiGe/Si结构异质外延N型In1-xGaxP材料作为集电区。