1.一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层（100）及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层（100）上的基区、发射区及集电区，其特征在于，所述低掺杂单晶硅衬底层（100）与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层（101），所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层（107）；

所述二氧化硅绝缘层（101）之上由下至上依次包括重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）、轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）、Si1-xGex基区薄层（105）及重掺杂应变硅发射区层（107），x与y均为大于0且小于0.3，且x≥y，其中：所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）、所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）的面积由下至上逐渐减小，形成一个台面结构；

所述台面结构上设置有二氧化硅淀积层（110）；

所述二氧化硅淀积层（110）覆盖在所述重掺杂应变硅发射区层（107）的部分上设置有与所述重掺杂应变硅发射区层（107）相连通的发射区电极窗口（111），所述发射区电极窗口（111）内填充有多晶硅（113），多晶硅（113）表面设置有金属层形成第一金属引线（117）；

所述二氧化硅淀积层（110）覆盖在所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）的部分上设置有与所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）相连通的集电区电极窗口（112）及基区电极窗口（114），所述集电区电极窗口（112）内填充有多晶硅（113），多晶硅（113）表面设置有金属层形成第二金属引线（116），所述集电区电极窗口（112）内的多晶硅的下端面与所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）之间的区域的成分与所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）的成分相同，所述基区电极窗口（114）内填充有金属形成第三金属引线（118）。

2.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）的厚度小于等于100nm。

3.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）的厚度大于所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）的厚度。

4.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，重掺杂应变硅发射区层（107）的厚度小于等于30nm，所述多晶硅（113）的厚度大于等于100nm。

5.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）及所述Si1-xGex基区薄层（105）之间设置有第一本征Si1-yGey阻挡层（104），所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）之间设置有第二本征Si1-yGey阻挡层（106）。

6.一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，本方法用于制造如权利要求1-4任一项所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括如下步骤：在所述低掺杂单晶硅衬底层（100）上生长所述二氧化硅绝缘层（101）；

在所述二氧化硅绝缘层（101）上由下至上依次生长所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）、所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）、所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）；

将所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）、所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）刻蚀为面积由下至上逐渐减小的台面结构；

在所述台面结构的一侧的所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）上选择第一接触孔区域（108）进行磷离子注入，使所述第一接触孔区域（108）的成分与所述重掺杂弛豫Si1-yGey亚集电区层（102）的成分相同，在所述台面结构的另一侧的所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）、所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）的斜面上选择第二接触孔区域（109）进行氟化硼注入，使所述第二接触孔区域（109）的成分与所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）的成分相同；

在所述台面结构及所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）的上表面淀积所述二氧化硅淀积层（110）；

在所述二氧化硅淀积层（110）对应所述第一接触孔区域（108）的位置刻蚀所述发射区电极窗口（111），在所述台面结构顶端的所述二氧化硅淀积层（110）处刻蚀所述集电区电极窗口（112）；

在所述二氧化硅淀积层（110）、所述发射区电极窗口（111）及所述集电区电极窗口（112）上淀积一层多晶硅（113）；

刻蚀所述发射区电极窗口（111）及所述集电区电极窗口（112）上方区域以外的多晶硅（113）；

刻蚀所述基区电极窗口（114）；

在所述二氧化硅淀积层（110）、所述多晶硅（113）及所述基区电极窗口（114）上溅射金属层（115）；

刻蚀出所述第一金属引线（117）、第二金属引线（116）及第三金属引线（118）。

7.如权利要求6所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）及所述Si1-xGex基区薄层（105）之间设置有第一本征Si1-yGey阻挡层（104），所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）之间设置有第二本征Si1-yGey阻挡层（106），本方法还包括如下步骤：在所述轻掺杂弛豫Si1-yGey集电区层（103）及所述Si1-xGex基区薄层（105）之间生长第一本征Si1-yGey阻挡层（104）；

在所述Si1-xGex基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）之间生长第二本征Si1-yGey阻挡层（106）。

8.如权利要求6所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，在磷离子注入及氟化硼注入之后，对所述第一接触孔区域（108）及所述第二接触孔区域（109）进行退火。