1.一种用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于所述光电化学传感器按如下方法制备：使CuPi/Ti3C2 QDs复合材料在玻碳电极表面成膜，然后在CuPi/Ti3C2 QDs复合材料薄膜表面孵育Au纳米粒子，再孵育卡那霉素适配体DNA，通过Au‑S键的相互作用将卡那霉素适配体DNA链固定于电极表面，然后孵育BSA以阻断卡那霉素适配体DNA链的非特异性结合位点，得到光电化学传感器。

2.如权利要求1所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：所述CuPi/Ti3C2 QDs复合材料的制备方法包括如下步骤：步骤（1）：将CuPi和10‑15 mg/mLTi3C2 QDs水溶液以质量体积比为2:1‑4:1的量混合，在

150 W‑300 W的超声功率下超声5‑10 min，得到混合液；

步骤（2）：将步骤（1）的混合液在室温下于300‑500 rpm的转速下搅拌20‑30 min，然后在3500‑5000 rpm下离心，将沉淀物冷冻干燥得到CuPi/Ti3C2 QDs复合材料。

3.如权利要求1所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：所述的卡那霉素适配体DNA序列为：5´‑HS‑(CH2)6‑ TGG‑GGG‑TTG‑AGG‑CTA‑AGC‑CGA‑3´。

4.如权利要求1所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：所述制备方法按照如下实施：将1‑3 mg/mL的CuPi/Ti3C2 QDs复合材料水溶液滴于玻碳电极上，在空气中自然干燥成膜后，将1‑1.5 mg/mL的金纳米粒子水溶液滴于电极表面，在室温下孵育1‑2 h后，用pH =7.0‑7.4磷酸缓冲溶液润洗玻碳电极，然后取0.1‑2 μM的卡那霉素适配体DNA溶液滴于电极表面，在温度为4‑8 ℃下孵育10‑80 min，用pH =7.0‑7.4磷酸缓冲溶液润洗玻碳电极，然后取质量分数为0.3％‑0.5％的BSA溶液于电极上，孵育5‑40 min；所述的卡那霉素适配体DNA溶液和BSA溶液均以pH=7.0‑7.4磷酸缓冲溶液作为溶剂。

5.如权利要求4所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：CuPi/Ti3C2 QDs复合材料水溶液的浓度为1.5‑2.5 mg/mL。

6.如权利要求4所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：卡那霉素适配体DNA溶液的浓度为1.0‑1.5 μM。

7.如权利要求4所述的用于卡那霉素检测的光电化学传感器，其特征在于：卡那霉素适配体DNA溶液的孵育时间为40‑60 min。

8.如权利要求1所述的光电化学传感器在卡那霉素检测中的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于所述应用包括：

（1）孵育不同浓度的卡那霉素标准溶液于光电化学传感器表面，然后在pH为7.0‑7.4的磷酸缓冲溶液中测试光电流响应，建立光电流强度与卡那霉素标准溶液浓度的对数函数的标准曲线；

（2）在与步骤（1）同样的条件下，孵育待测的卡那霉素溶液于光电化学传感器表面，然后在pH为7.0‑7.4的磷酸缓冲溶液中测试光电流响应，利用步骤（1）的标准曲线，根据测得的光电流强度得到待测的卡那霉素溶液的浓度；

所述卡那霉素标准溶液和待测的卡那霉素溶液的溶剂均为pH=7.0‑7.4磷酸缓冲溶液。

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于：卡那霉素溶液的孵育时间为5‑40 min。