1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；

第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；

绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；

通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；

第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧；

其中，所述第三导体层通过所述通孔与所述第一走线和所述第二走线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有多个所述交叉位置，每个所述交叉位置上均至少设置有一个所述通孔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔均位于所述第一走线上；

同一条所述第一走线上的所述通孔均匀分布。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔均位于所述第二走线上；

同一条所述第二走线上的所述通孔均匀分布。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，一部分所述通孔位于所述第一走线上，另一部分所述通孔位于所述第二走线上；

同一条所述第一走线上的所述通孔均匀分布；

同一条所述第二走线上的所述通孔均匀分布。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有至少一条所述第一走线；

具有多条平行排布的所述第二走线；

其中，所述第一走线与所有所述第二走线均交叉。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述交叉位置上均具有一个所述通孔；在第一方向上相邻的第一交叉位置与第二交叉位置之间具有N个所述通孔，所述第一方向为所述第一走线的延伸方向；

N＝floor((S+En1+En2‑smin)/(smin+w))s0＝(S+En1+En2–N*w)/(N+1)其中，smin为所述第一方向上相邻的两个所述通孔的最小设计距离；w为所述通孔在所述第一方向上的宽度；S为相邻条两条所述第二走线的线间距；所述第一交叉位置上的所述通孔与所述第一交叉位置朝向所述第二交叉位置的边具有距离En1；所述第二交叉位置上的所述通孔与所述第二交叉位置朝向所述第一交叉位置的边具有距离En2；s0为两个通孔的实际间距。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有至少一条所述第二走线；

具有多条平行排布的所述第一走线；

其中，所述第二走线与所有所述第一走线均交叉。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述交叉位置上均具有一个所述通孔；在第二方向上相邻的第三交叉位置与第四交叉位置之间具有M个所述通孔，所述第二方向为所述第二走线的延伸方向；

M＝floor((S’+En1’+En2’‑smin’)/(smin’+w’))s0’＝(S’+En1’+En2’–M*w’)/(M+1)其中，smin’为所述第二方向上相邻的两个所述通孔的最小设计距离；w’为所述通孔在所述第二方向上的宽度；S’为相邻条两条所述第一走线的线间距；所述第四交叉位置上的所述通孔与所述第三交叉位置朝向所述第四交叉位置的边具有距离En1’；所述第四交叉位置上的所述通孔与所述第四交叉位置朝向所述第三交叉位置的边具有距离En2’；s0’为两个通孔的实际间距。

10.一种如权利要求1‑9任一项所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；

形成第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；

在所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧形成绝缘层；

形成贯穿所述绝缘层的通孔，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；

在所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧形成第三导体层；

其中，所述第三导体层通过所述通孔与所述第一走线和所述第二走线连接。