1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的上表面和下表面；

基于曲线型或者折线型的第一图案，在所述衬底上刻蚀至少一个沟槽结构，所述沟槽结构自所述上表面向下进入所述衬底，其中，所述第一图案包括彼此相邻的n个第二图案，所述n个第二图案中奇数位的第二图案相同，且偶数位的第二图案相同，n为正整数；

在刻蚀所述至少一个沟槽结构之前，所述方法还包括：

提供长度为L且宽度为W的直线型沟槽图案，L和W为正数；

将所述直线型沟槽图案分割为彼此相邻的n个矩形图案，其中，所述矩形图案在第一方向上具有长度为L/n的第一长边和第二长边，所述矩形图案在第二方向上具有宽度为W的两个宽边，所述第一方向与所述第二方向垂直；

将所述n个矩形图案中奇数位的所述矩形图案按照第一分割线分割为两个第一子图案，所述两个第一子图案分别包括所述第一长边和所述第二长边，且所述第一分割线连接所述第一长边的两个端点；

将所述两个第一子图案的长边重合，以形成N1个第一基础图案，N1为正整数；

将所述n个矩形图案中偶数位的所述矩形图案按照第二分割线分割为两个第二子图案，所述两个第二子图案分别包括所述第一长边和所述第二长边，且所述第二分割线连接所述第二长边的两个端点；

将所述两个第二子图案的长边重合，以形成N2个第二基础图案，N2为正整数；

将所述N1个第一基础图案和所述N2个第二基础图案进行组合，以形成所述第一图案，N1与N2的和为n。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述至少一个沟槽结构之前，所述方法还包括：去除所述第一图案中首尾两端的小于90度的尖角，以避免在所述尖角处形成电场过于集中的区域。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一分割线和/或所述第二分割线为至少一条曲线和/或至少一条折线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一分割线和所述第二分割线以所述直线型沟槽图案的轴线为对称轴对称。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一基础图案能够通过旋转得到所述第二基础图案，或者，所述第二基础图案能够通过旋转得到所述第一基础图案。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述半导体结构用于制备储能器件和/或传感器，其中，所述储能器件和/或传感器包括设置于所述沟槽结构内的至少一个导电层和至少一个电介质层，且所述至少一个导电层和所述至少一个电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述基于曲线型或者折线型的第一图案，在所述衬底上刻蚀至少一个沟槽结构，包括：基于所述第一图案，利用深反应离子刻蚀在所述衬底上刻蚀所述至少一个沟槽结构。