1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括衬底、制作形成在所述衬底上的鳍结构、位于所述鳍结构上的中间介电层、位于中间介电层上的栅极，以及采用开孔暴露出的硅锗材料；

在所述开孔内沉积能够阻挡钛锗化合物扩散的第一阻挡层，所述第一阻挡层的材料包括：TiN、TaN、Ta或Ru；

去除所述开孔底部的第一阻挡层；

依次沉积钛金属层和第二阻挡层；

退火，形成钛硅化合物接触层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在退火后还包括：采用钨金属填充所述开孔，形成钨栓。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述在所述开孔内沉积第一阻挡层具体包括：采用物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或溅射工艺，在所述开孔的侧壁和底部沉积第一阻挡层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述去除所述开孔底部的第一阻挡层，具体包括：采用定向物理轰击工艺，去除所述开孔底部的第一阻挡层，保留开孔侧壁的第一阻挡层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述依次沉积钛金属层和第二阻挡层，具体包括：在所述开孔侧壁的第一阻挡层表面以及所述开孔的底部沉积形成钛金属层；

再在所述钛金属层的表面沉积形成第二阻挡层。

6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1‑5任意一项所述的半导体器件制作方法制作形成，所述半导体器件包括：衬底；

位于所述衬底上的鳍结构；

位于所述鳍结构上的中间介电层；

位于中间介电层上的栅极；

位于所述鳍结构内的源极区和漏极区；

与所述源极区和所述漏极区接触的钨栓；

其中，所述钨栓位于开孔内，所述开孔底部为硅锗材料形成的源极区和漏极区；所述开孔的侧壁上形成有能够阻挡钛锗化合物扩散的第一阻挡层，所述第一阻挡层的材料包括：TiN、TaN、Ta或Ru，所述第一阻挡层的侧壁和所述开孔的底部形成有钛金属层，所述钛金属层表面形成有第二阻挡层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为TiN。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述中间介电层的材料为氧化硅。