1.一种半导体发光器件，包括： 发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层； 在所述发光结构下方的反射电极层；和 在所述反射电极层的外周处的外保护层。

2. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包含与 所述第二导电型半导体层相同的半导体材料。

3. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述外保护层形成为 在所述反射电极层的外侧顶部和所述第二导电型半导体层之间具有框 架形式。

4. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括 GaN、 InN、 A1N、 InGaN、 AlGaN、 InAlGaN和AlInN中的至少一种， 并且掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。

5. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括未 掺杂的GaN层。

6. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包括从 所述第一导电型半导体层至所述第二导电型半导体层的外周处的外沟 槽。

7. 根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述外沟槽形成为具 有从所述第一导电型半导体层至暴露出所述外保护层或所述第二导电 型半导体层的一部分的深度处的深度。

8. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述第一导电型半导 体层包括n型半导体层，所述第二导电型半导体层包括p型半导体层。

9. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，包括：在所述反射电极层 下方的导电支撑衬底；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极和透 明电极中的至少其一。

10. —种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体 层下方的有源层、在所述有源层下方的第二导电型半导体层和在每个所 述层的外周处的外沟槽；和在所述发光结构下方的反射电极层。

11. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述第二导电型半导体层的外侧底部形成为在所述反射电极层的外周处具有框架形式。

12. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，包括在所述反射电极层的 外周处具有框架形式的外保护层。

13. 根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述具有框架形式的 外沟槽的宽度小于所述外保护层的宽度。

14. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述第二导电型半导 体层的中心区域和外周区域分别具有不同的厚度。

15. 根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述外保护层的宽度 为20 nm至600 nm,所述外保护层的厚度为5000 A至500 jun。

16. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述外沟槽的宽度为 10 nm至500阿。

17. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，包括在所述第二导电型半 导体层下方的n型半导体层或p型半导体层。

18. —种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括： 在晶片衬底上形成发光结构，所述发光结构至少包括顺序堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的外周处形成外保护层；和 在所述第二导电型半导体层和所述外保护层上形成反射电极层。

19. 根据权利要求18所述的方法，包括： 移除所述晶片衬底；在将所述反射电极层定位在基体上之后，通过蚀刻所述发光结构的 外周来形成外沟槽；和在所述第一导电型半导体层上形成第一电极。

20. 根据权利要求18所述的方法，其中形成所述外保护层包括： 在所述第二导电型半导体层的中心区域上形成氧化物层图案；和 在所述氧化物层图案的外周处形成所述外保护层之后移除所述氧化物层图案，在所述反射电极层上形成导电支撑衬底。