1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；

在所述发光结构下方的反射电极层；和

在所述第二导电型半导体层的外周部分与所述反射电极层之间的外保护层，其中所述第二导电型半导体层由中心部分和包围所述中心部分的所述外周部分组成，所述外周部分的厚度比所述中心部分的厚度低预定的深度。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括半导体材料。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种，并且用n型掺杂剂或p型掺杂剂掺杂。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层的宽度为20μm至

600μm，所述外保护层的厚度为 至500μm。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括未掺杂的GaN层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二导电型半导体层下方的n型半导体层或p型半导体层。