1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将处理装置与射频匹配器连通；

步骤二：使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接；

步骤三：使用多根管道向处理装置内通入成膜气体；

步骤四：使用处理装置对成膜气体进行均匀混合，并对成膜气体进行过筛；

步骤五：从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内，射频匹配器对成膜气体进行电离；

步骤六：经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于:所述处理装置包括处理盒(101),处理盒(101)内固接有连杆(401),连杆(401)上转动连接有扇叶(402),处理盒(101)内固接有滤板(201),处理盒(101)上转动连接有转杆(404),转杆(404)上固接有齿轮Ⅰ(405),扇叶(402)上固接有齿轮Ⅱ(403),齿轮Ⅰ(405)与齿轮Ⅱ(403)啮合，连杆(401)上连接有滑杆(701),滑杆(701)上设有多个弧面部(702),处理盒(101)上设有进气口(801),进气口(801)内转动连接有球阀，球阀上固接有开关杆(802),开关杆(802)与进气口(801)之间固接有第一扭簧，开关杆(802)上设有一个凸杆，凸杆能够与多个弧面部(702)接触，处理盒(101)下端固接有一个圆管，圆管内设有一个电控阀，处理盒(101)内固接一个角度传感器，角度传感器可转动端与开关杆(802)固接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述处理盒(101)上设有开口槽(102),处理盒(101)上设有固定螺纹孔(103)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述装置还包括连接在连杆(401)上的两个刮动杆(602),滤板(201)上固接有收纳部(203)，两个刮动杆(602)均能够与滤板(201)表面接触，并能够沿着滤板(201)表面前后方向移动。

5.根据权利要求4所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：还包括滑动连接在连杆(401)上的驱动杆(501)，驱动杆(501)上转动连接有两个铰接杆(601)，每个铰接杆(601)下端均固接有刮动杆(602)，每个铰接杆(601)与驱动杆(501)之间均固接有第二扭簧。

6.根据权利要求5所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述滑杆(701)滑动连接在转杆(404)上，滑杆(701)与转杆(404)之间固接有弹簧，驱动杆(501)上固接有压杆(502),滑杆(701)上固接有接触环(703)，弹簧为压簧。

7.根据权利要求6所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述装置还包括滑动连接在处理盒(101)内的盖板(301)。

8.根据权利要求7所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述装置还包括固接在盖板(301)上的两个挡板(302)。

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述装置还包括通过螺栓可拆卸连接在收纳部(203)上的圆环挡片(202)，收纳部(203)下端设有两个弧形通槽，圆环挡片(202)能够对弧形通槽进行遮挡。

10.根据权利要求3所述的一种半导体器件制备方法，其特征在于：所述固定螺纹孔(103)对称设有两个。