1.一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其特征在于，其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元T2、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻RC、发射区等效电阻RE和寄生基区等效电阻RBP，所述集电区等效电阻RC两端设有集电极端C和第一集电区端C’，所述发射区等效电阻RE两端设有发射极端E和第一发射区端E’，所述寄生基区等效电阻RBP两端设有第一基区端B’和基极端B；

所述本征低温NPN晶体管单元的三端分别与所述第一基区端B’、第一集电区端C’和第一发射极端E’相连，所述寄生衬底PNP晶体管单元T2的基极、集电极和发射极分别和所述第一集电区端C’、第二衬底端S’以及第一基区端B’相连；所述衬底匹配网络单元的两端分别与第一衬底端S和第二衬底端S’相连；所述基区‑发射区寄生等效电路单元的三端分别与基区端B、第一基区端B’和第一发射极端E’相连，所述基区‑集电区寄生等效电路单元的三端分别与所述基区端B、第一基区端B’和第一集电区端C’相连；

所述本征低温NPN晶体管单元包括本征常温NPN晶体管单元T1、低温发射区‑集电区直接穿通电流、低温发射区‑基区陷阱辅助穿通电流和低温基区‑集电区陷阱辅助穿通电流，所述本征常温NPN晶体管单元T1的基极、集电极和发射极分别和所述第一基区端B’、第一集电区端C’和第一发射极端E’相连，所述低温发射区‑集电区直接穿通电流安装于所述第一集电区端C’和第一发射区端E’之间，所述低温发射区‑基区陷阱辅助穿通电流安装于所述第一基区端B’和第一发射区端E’之间，所述低温基区‑集电区陷阱辅助穿通电流安装于所述第一基区端B’和第一集电区端C’之间；

所述基区‑发射区寄生等效电路单元包括寄生发射结电流ijBEX、第一寄生发射结内电容CBEP1、第二寄生发射结外电容CBEP2和第三寄生发射结外电容CBEP3，所述寄生发射结电流ijBEX和第一寄生发射结内电容CBEP1并联安装于所述第一基区端B’和第一发射区端E’之间，所述第二寄生发射结外电容CBEP2安装于所述第一基区端B’和发射极端E之间，所述第三寄生发射结外电容CBEP3安装于所述基极端B和发射极端E之间；

所述基区‑集电区寄生等效电路单元包括寄生集电结电流ijBCX、寄生集电结内电容CBCP1、第一寄生集电结外电容CBCP2和第二寄生集电结外电容CBCP3，所述寄生集电结电流ijBCX、寄生集电结内电容CBCP1和第一寄生集电结外电容CBCP2并联安装于所述第一基区端B’和第一集电区端C’之间，所述第二寄生集电结外电容CBCP3安装于所述基极端B和第一集电区端C’之间。

2.根据权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其特征在于，所述衬底匹配网络单元包括衬底匹配电阻RS和衬底匹配电容CS，所述衬底匹配电阻RS和衬底匹配电容CS均并联安装于所述第一衬底端S和第二衬底端S’之间。

3.根据权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其特征在于，所述寄生基区等效电阻RBP与所述第二寄生发射结外电容CBEP2和第三寄生发射结外电容CBEP3组成π型RC传输线网络，且与所述第一寄生集电结外电容CBCP2和第二寄生集电结外电容CBCP3组成π型RC传输线网络，用于高频电路的匹配。

4.根据权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其特征在于，所述本征常温NPN晶体管单元T1根据器件仿真精度的要求，选取EM模型、GP模型、HICUM模型和MEXTRAM模型在内不同复杂度的模型。