1.一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，其特征在于：包括本征NPN晶体管单元T（1 100）、寄生衬底PNP晶体管单元T（2 200）、衬底匹配网络单元、BC寄生等效电路单元、BE寄生等效电路单元，以及发射区等效电阻RE（603）、集电区等效电阻RC（604）和寄生基区等效电阻；

本征NPN晶体管单元T（1 100）的基极、集电极和发射极分别和第一基区端B’、第一集电区端C’以及发射极E相连；

寄生衬底PNP晶体管单元T2（200）的基极、集电极和发射极分别和第一集电区端C’、第二衬底端S’以及第一基区端B’相连；

衬底匹配网络单元并联于衬底端S和第二衬底端S’之间；

BC寄生等效电路单元由内BC寄生结电流ijBCX（1 301）、内BC寄生电容CBCP（1 302）、外BC寄生结电流 ijBCX（2 303）、外BC寄生电容CBCP2（304）、STI-BC寄生电容 CBCP3（305）组成，内BC寄生结电流ijBCX1（301）和内BC寄生电容CBCP1（302）并联于第一基区端B’和第一集电区端C’之间，外BC寄生结电流 ijBCX（2 303）和外BC寄生电容CBCP（2 304）并联于第二基区端B”和第一集电区端C’之间，STI-BC寄生电容 CBCP（3 305）位于基极端B和第一集电区端C’之间；

BE寄生等效电路单元位于第二基区端B”和发射极端E之间；

发射区等效电阻R（E 603）位于发射极端E和第一发射区端E’之间；

集电区等效电阻R（C 604）位于集电极端Ｃ和第一集电区端C’之间；

所述寄生基区等效电阻由寄生内基区等效电阻RBP1（602）和寄生外基区等效电阻RBP2（601）组成，寄生内基区等效电阻RBP（1 602）位于第一基区端和B’第二基区端B”之间，寄生外基区等效电阻RBP（2 601）位于第二基区端B”和基极端B之间。

2.根据权利要求1所述的一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模

型，其特征在于：所述本征NPN晶体管单元T（1 100）由传输电流i（T 101）、BC结击穿电流iAVL（102）、BE结复合电流iBhre（c 103）、BC结扩散电容Cd（C 104）、BE结扩散电容Cd（E 105）、BC结势垒电容CjCi（106）、BE结势垒电容CjEi（107）、BC结电流 ijBCi（108）、BE结电流ijBE（i 109）、BE结穿通电流iBEt（i 110）、发射区电流集边等效电容CRB（i 111）和本征基区电阻RB（i 112）组成，传输电流i（T 101）位于第一集电区端C’和第一发射区端E’之间，BC结击穿电流iAV（L 102）、BC结扩散电容Cd（C 104）、BC结势垒电容CjC（i 106）和BC结电流 ijBC（i 108）并联于第一集电区端C’和内基区端B*之间，BE结复合电流iBhrec（103）、BE结扩散电容CdE（105）、BE结势垒电容CjEi（107）、BE结电流ijBEi（109）和BE结穿通电流iBEt（i 110）并联于第一发射区端E’和内基区端B*之间，发射区电流集边等效电容CRB（i 111）和本征基区电阻RB（i 112）并联于和第一基区端B’和内基区端B*之间。

3.根据权利要求1所述的一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模

型，其特征在于：所述寄生衬底PNP晶体管单元T2（200）由寄生衬底PNP晶体管传输电流iTS（201）、寄生衬底PNP晶体管集电结势垒电容Cj（s 202）、寄生衬底PNP晶体管发射结扩散电容Cd（s 203）和寄生衬底PNP晶体管基区电流ijS（C 204）组成，寄生衬底PNP晶体管传输电流iTS（201）位于第二衬底端S’和第一基区端B’之间，寄生衬底PNP晶体管基区电流ijSC（204）和寄生衬底PNP晶体管集电结势垒电容Cjs（202）并联于第二衬底端S’和第一集电区端C’之间，寄生衬底PNP晶体管发射结扩散电容Cd（s 203）位于第一基区端B’和第一集电区端C’之间。

4.根据权利要求1所述的一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模

型，其特征在于：所述衬底匹配网络单元由衬底匹配电阻R（S 501）和衬底匹配电容C（S 502）组成，衬底匹配电阻R（S 501）和衬底匹配电容C（S 502）均并联于衬底端S和第二衬底端S’之间。

5.根据权利要求1所述的一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模

型，其特征在于：所述BE寄生等效电路单元由BE寄生等效电容CBE（P 400）组成。