1.一种三维应变Si双极结型晶体管，其特征在于：在第一方向上，包括依次设置的p型+Si衬底、n发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，所述第一方向为由所述衬底指向所述n型集电区的方向；所述鳍型半导体p型基区上设置有所述n型集电区；

所述SiO2层上设置有发射极接触，所述SiGe应变外延层上设置有基极接触，所述n型集电区上设置有集电极接触；

所述SiC应变外延层对所述鳍型半导体p型基区和所述n型集电区同时施加单轴拉应力。

+

2.如权利要求1所述的三维应变Si双极结型晶体管，其特征在于：所述n发射区与所述鳍型半导体p型基区宽度相同。

3.如权利要求1所述的三维应变Si双极结型晶体管，其特征在于：所述鳍型半导体p型基区包括本征基区和非本征基区，所述本征基区与所述n型集电区接触，所述本征基区由n型集电区三面包裹，所述n型集电区在三个方向从所述鳍型半导体p型基区抽取电子；所述非本征基区包裹于SiGe应变外延层内。

+

4.如权利要求2所述的三维应变Si双极结型晶体管，其特征在于：所述n发射区宽度为

10nm～20nm；所述鳍型半导体p型基区宽度为10nm～20nm，所述鳍型半导体p型基区高度为

21nm～41nm。

5.一种制备权利要求1～4中任一项的三维应变Si双极结型晶体管的方法，其特征在于：所述方法与22nm鳍型场效应晶体管制备工艺相兼容。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次淀积硬掩膜版和多晶硅辅助层；

步骤2：对所述多晶硅辅助层进行光刻和刻蚀处理，在所述硬掩膜版和处理后的多晶硅辅助层上淀积SiO2层；

步骤3：对所述SiO2层进行刻蚀形成SiO2侧墙，去除所述多晶硅辅助层；

步骤4：以SiO2侧墙为掩膜版进行向下刻蚀形成有源区；

步骤5：去除所述SiO2侧墙，淀积SiO2填充层，填充所述有源区；

步骤6：对所述SiO2填充层回刻，使有源区凸出SiO2表面，控制鳍型半导体高度；去除硬掩膜版；

步骤7：对所述鳍型半导体进行处理，形成发射极接触区域；淀积阻挡层；

步骤8：对所述阻挡层进行处理，对所述SiO2填充层进行光刻和刻蚀，形成SiO2辅助层；

步骤9：以SiO2辅助层和阻挡层为掩膜版对鳍型半导体进行刻蚀，去除所述SiO2辅助层，+将未被阻挡层覆盖的鳍型半导体区域定义为发射区，对所述发射区域进行离子注入形成n发射区；

步骤10：去除所述鳍型半导体上的阻挡层；

步骤11：淀积SiO2，对所述SiO2回刻形成SiO2浅沟槽隔离，有源区凸出浅沟槽隔离的区域定义为基区，对凸出的鳍型半导体进行离子注入形成p型基区；

步骤12：表面淀积SiO2和Si3N4作为停止层；

步骤13:在停止层上淀积SiO2牺牲层，通过掩膜版光刻和刻蚀SiO2牺牲层形成凹槽，同时使有源区暴露；

步骤14：在所述凹槽中选择性外延生长Si作为集电区；

步骤15：去除剩余的SiO2牺牲层和作为停止层的Si3N4和SiO2后，对集电区进行离子注+入，形成轻掺杂n—型集电区区域，再对集电区进行离子注入，形成重掺杂n集电区区域；

步骤16：淀积SiO2层，并在集电区形成侧墙隔离层；

步骤17：去除在集电区的非本征基区的SiO2，并外延生长SiGe应变层；

步骤18：在非本征基区外的SiGe应变层上方形成基极接触；

步骤19：在集电区上方通过光刻和刻蚀出窗口形成集电极接触；

步骤20：在所述发射极接触区域上方刻蚀SiO2层形成窗口，淀积多晶硅形成发射极接触。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述衬底为p型掺杂的单晶硅，所述衬底

15 ‑3

的掺杂浓度为10 cm ；所述硬掩膜版为SiO2和Si3N4。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述SiO2填充层利用等离子体化学气相沉积方法进行淀积。

— 16

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述n 型集电区区域掺杂浓度为10 cm‑3 + 18 ‑3 + —，所述n 集电区区域掺杂浓度为10 cm ，所述n集电区区域和所述n 型集电区区域组成n型集电区。

+

10.如权利要求6～9中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述n发射区掺杂浓度为

18 ‑3 16 ‑3

10 cm ，所述鳍型半导体p型基区的掺杂浓度为10 cm 。