1.一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将Bi(NO3)3·5H2O、Yb(NO3)3·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O、C6H9MnO6·2H2O作为原料，按照摩尔比为1.05-x:x:0.98:0.02加入到乙二醇甲醚中，搅拌至完全溶解，再加入乙酸酐搅拌均匀，得到前驱液，其中x＝0.06～0.12；

2)采用旋涂法在FTO/glass基片上旋涂前驱液，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～210℃下烘烤得干膜，再于540～560℃下在空气中退火，然后随炉冷却至室温，得到Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜；

3)在得到的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜上重复步骤2)，直至达到所需厚度，即得到(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜。

2.根据权利要求1所述的(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中搅拌至完全溶解所需的时间为20～40min，搅拌均匀所需的时间为80～100min。

3.根据权利要求1所述的(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述前驱液中乙二醇甲醚和乙酸酐的体积比为(2.5～3.5):1，前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/L。

4.根据权利要求1所述的(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)在进行前先将FTO/glass基板表面依次用洗洁精、丙酮、无水乙醇清洗干净，封存在无水乙醇中备用；然后取出要使用的FTO/glass基板，用去离子水洗净、吹干，再在紫外光照射仪中照射30～40min。

5.根据权利要求1所述的(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的匀胶转速为3600～4000r/min，匀胶时间为12～18s。

6.根据权利要求1所述的(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中匀胶后的烘烤时间为6～10min，退火时间为10～15min。

7.权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的(012)晶面择优取向的Bi1-

xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜，其特征在于：该薄膜的结构式为Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3，x＝0.06～0.12；该薄膜属于三方结构，空间群为R3c:H，晶胞参数a＝b＝5.5810，c＝13.8757，且该薄膜沿(012)晶面择优取向生长；

在测试频率为1kHz的条件下，该薄膜的介电常数为366～493；在电场为200kV/cm的条件下，该薄膜的漏电流密度为8.04×10-5～1.34×10-4A/cm2；

在测试频率为1kHz，最大测试电场为945kV/cm的条件下，该薄膜的剩余极化强度为78～150μC/cm2，矫顽场为314～362kV/cm，正向反转电流为0.57～0.91mA，且随着正向反转电流的增加，剩余极化值逐渐增大。