1.一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜，其特征在于，包括非晶碳膜上配副和选择性氢化的织构非晶碳下配副，其中下配副从上到下包含表面织构层和非晶碳支撑层，表面织构层为等间距矩形织构且其凸起位置为氢化处理区域，非晶碳支撑层为非晶碳膜；所述氢化处理区域的氢含量为24at.% 45 at.%。

~

2.根据权利要求1所述的一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜，其特征

2 3 2

在于，所述上配副和下配副中非晶碳膜由sp和sp杂化碳结构混合而成，其中sp杂化碳结构含量≥55 at.%。

3.根据权利要求1所述的一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜，其特征在于，所述上配副和下配副中非晶碳膜的厚度为20 200 nm。

~

4.根据权利要求1所述的一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜，其特征在于，所述表面织构层中，凹坑的深度为5 50nm，宽度为20 100nm，相邻的矩形织构的间距~ ~为40 80nm。

~

5.权利要求1所述的超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：S1、采用磁控溅射技术，Ar为进程气体，高纯石墨为沉积靶材，沉积超薄非晶碳膜；

S2、向磁控溅射腔室引入不同流量的H2，对非晶碳膜涂覆的基底施加负偏压，进行非晶碳表面氢化改性；

S3、采用感应耦合等离子体刻蚀技术，对氢化改性的非晶碳表面进行织构化处理，制备选择性氢化的织构非晶碳膜。

6.根据权利要求5所述的超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，具体的沉积参数如下：氩气流量为10   30 sccm，沉积压强为1.0   ~ ~‑3

3.0×10  Torr，基底偏压为‑50   ‑200 V，石墨靶电流为2.5   4.5 A，沉积时间为5   60 ~ ~ ~min。

7.根据权利要求5所述的超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，具体的氢化处理参数如下：氩气流量为10   30 sccm，氢气流量为5 ~‑3

 50 sccm，处理压强为2.5   7.6×10  Torr，基底偏压为‑400   ‑700 V，处理时间为5   ~ ~ ~ ~

60 min。