1.一种铁电场效应晶体管，包括：衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层，其特征在于，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且所述夹层的导带底与所述第一铁电层的导带底之间的差值小于或等于

0.3eV，所述夹层的导带底与所述第二铁电层的导带底之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且所述夹层的价带顶与第一铁电层的价带顶之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶与第二铁电层的价带顶之间的差值小于或等于0.3eV；所述夹层的材料为：氮氧化铪或氮氧化锆；所述第一铁电层和第二铁电层的材料相同，且所述第一和第二铁电层的材料为：掺杂的氧化锆；所述第一、第二铁电层和夹层的数量为多层，且每相邻的两层铁电层之间都存在一层夹层。

2.如权利要求1所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，所述夹层的材料的相对介电常数大于或等于15。

3.一种半导体存储器，包括：多个场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管为如权利要求1至2中任一项所述的铁电场效应晶体管。

4.一种铁电薄膜电容器，包括：第一电极层，和在所述第一电极层上由下至上设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和第二电极层，其特征在于，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且所述夹层的导带底与所述第一铁电层的导带底之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的导带底与所述第二铁电层的导带底之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且所述夹层的价带顶与第一铁电层的价带顶之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶与第二铁电层的价带顶之间的差值小于或等于0.3eV；所述夹层的材料为：氮氧化铪或氮氧化锆；所述第一铁电层和第二铁电层的材料相同，且所述第一铁电层和第二铁电层的材料为：掺杂的氧化锆；所述第一、第二铁电层和夹层的数量为多层，且每相邻的两层铁电层之间都存在一层夹层。

5.如权利要求4所述铁电薄膜电容器，其特征在于，所述夹层的材料的相对介电常数大于或等于15。

6.如权利要求4或5所述铁电薄膜电容器，其特征在于，所述第一和第二电极层的材料为：金属氮化物、金属硅化物、金属氧化物、铂、钨、铱、钛、钽、钼、或者钌。