1.一种功率半导体器件，包括N型衬底(6)，所述N型衬底(6)上层具有P型基区(5)；所述P型基区(5)的上层具有N型发射区(2)、PIN阳极区(1)和N型源区(11)，所述N型发射区(2)位于PIN阳极区(1)之间，所述N型源区(11)位于PIN阳极区(1)远离N型发射区(2)一侧的侧面；

所述N型发射区(2)的上表面、PIN阳极区(1)的上表面和部分N型源区(11)上表面具有阴极金属(10)；所述部分N型源区(11)上表面和N型衬底(6)两侧上表面具有栅氧化层(4)，所述栅氧化层(4)上表面具有栅极金属(3)；所述N型衬底(6)的底部具有P型阳极区(7)；所述P型阳极区(7)中具有N型阳极区(9)，所述N型阳极区(9)包含于P型阳极区(7)中且不与N型衬底(6)连接；所述P型阳极区(7)的下表面和N型阳极区(9)下表面具有阳极金属(8)。

2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件，其特征在于，所述N型阳极区(9)沿器件纵向方向的宽度为P型阳极区(7)沿器件纵向方向宽度的1/10～1/5。

3.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：制备N型衬底(6)；

第二步：采用离子注入和高温扩散推结工艺，在N型衬底底部形成P型阳极区(7)；

第三步：采用离子注入，在P型阳极区(7)中形成N型阳极区(9)，所述N型阳极区(9)包含于P型阳极区(7)中且不与N型衬底(6)连接；

第四步：在N型衬底(6)上表面生长二氧化硅，形成栅氧化层(4)，在栅氧化层(4)上表面淀积N型导电多晶硅形成栅电极(3)；

第五步：采用离子注入和高温扩散推结工艺，在N型衬底上层形成P型基区(5)；

第六步：采用离子注入和高温扩散推结工艺，在P型基区(5)上层形成N型发射区(2)和N型源区(11)，所述N型源区(11)位于N型发射区(2)之间；

第七步：采用离子注入和高温扩散推结工艺，在P型基区(5)上层形成PIN阳极区(1)，所述PIN阳极区(1)位于N型源区(11)和N型发射区(2)之间；

第八步：在N型极发射区(2)、反向PIN管阳极区(1)和N型源区(11)上表面淀积金属层，形成阴极金属(10)；

第九步：在N型阳极区(9)和P型阳极区(7)下表面淀积金属层，形成阳极金属(8)。