1.一种半导体发光器件，包括：

n电极，所述n电极具有顶表面和底表面；

形成在所述n电极的顶表面中的不均匀图案；

形成在所述n电极上的n型半导体覆盖层，所述n型半导体覆盖层具有顶表面和底表面；

形成在所述n型半导体覆盖层的底表面中的不均匀图案，所述n型半导体覆盖层的不均匀图案直接接触所述n电极的不均匀图案；

形成在所述n型半导体覆盖层上的有源层；

形成在所述有源层上的p型半导体覆盖层；

形成在所述p型半导体覆盖层上的p电极，

其中在所述n电极和所述n型半导体覆盖层之间不设置生长衬底，以及其中所述n电极的所述顶表面中的所述不均匀图案与所述n型半导体覆盖层的所述底表面中的所述不均匀图案相对应。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中形成在所述n电极的顶表面中的不均匀图案延伸跨越所述n电极和所述n型半导体覆盖层之间的整个边界。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体覆盖层和所述p型半导体覆盖层由GaN形成。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n电极和p电极中的至少一个是透明的。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述有源层是多量子阱结构。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述p型半导体覆盖层和所述p电极之间的p接触半导体层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在接触所述p电极的所述p型半导体覆盖层中的不均匀图案。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述p型半导体覆盖层中的不均匀图案以规则的间隔形成。

9.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述p型半导体覆盖层中的不均匀图案以不同的间隔形成。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体覆盖层中的不均匀图案以规则的间隔形成。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体覆盖层中的不均匀图案以不同的间隔形成。