1.一种半导体发光器件，包括：

具有底表面的第一半导体层，所述底表面具有不均匀图案；

在所述第一半导体层上形成的有源层；

在所述有源层上形成的第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成的第二电极；和

在所述第一半导体层下形成的第一电极。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一半导体层为 n-型半导体层，和所述第二半导体层为p-型半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中以规则的间隔形成所 述第一半导体层的所述不均匀图案。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中以不同的间隔形成所 述第一半导体层的所述不均匀图案。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中至少所述第一电极形 成在所述第一半导体层的整个表面上，或至少所述第二电极形成在所述 第二半导体层的整个表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一电极和第二 电极中的至少一个是透明电极。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第二半导体 层和所述第二电极之间形成的第三半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述第一半导体层和 第三半导体层为n-型半导体层，和所述第二半导体层为p-型半导体层。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第一半导体 层的所述不均匀图案的凸起部分与所述第一电极之间形成的缓冲层。

10.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成有源层；

在所述有源层上形成第二半导体层；

除去所述衬底；

在所述第一半导体层上形成不均匀图案；和

在所述第一半导体层上形成第一电极，和在所述第二半导体层上形 成第二电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一半导体层为n-型半导 体层，和所述第二半导体层为p-型半导体层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中以规则的间隔形成所述第一半 导体层的所述不均匀图案。

13.根据权利要求10所述的方法，其中以不同的间隔形成所述第一半 导体层的所述不均匀图案。

14.根据权利要求10所述的方法，其中至少所述第一电极形成在所述 第一半导体层的整个表面上，或至少所述第二电极形成在所述第二半导 体层的整个表面上。

15.根据权利要求10所述的方法，其中除去所述衬底包括利用激光剥 离方法分离并除去所述衬底。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述激光剥离方法利用准分子 激光。

17.根据权利要求10所述的方法，其中在所述第一半导体层中形成所 述不均匀图案包括：在所述第一半导体层上形成光刻胶层并图案化所述光刻胶层；

在所述图案化的光刻胶层上实施蚀刻以在所述第一半导体层中形 成不均匀图案；和除去所述光刻胶层。

18.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述衬底上形成第一半导 体层之前，在所述衬底上形成缓冲层。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括在除去所述衬底之后，除去 所述缓冲层以暴露出所述第一半导体层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中除去所述缓冲层包括利用化学 机械抛光和蚀刻中的一种来除去所述缓冲层。

21.根据权利要求18所述的方法，还包括在除去所述衬底之后，蚀刻 所述缓冲层和所述第一半导体层以在所述第一半导体层中形成不均匀 图案，其中在所述第一半导体层的所述不均匀图案的凸起部分上形成所 述缓冲层。