1.一种DMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；

深沟槽隔离，设置于所述衬底中，且该深沟槽隔离中设置有多晶硅层和将该多晶硅层与所述衬底予以隔离的第一绝缘层；

第二绝缘层；位于所述多晶硅层的上表面，且所述第二绝缘层的上表面和所述衬底的上表面平齐；

栅极结构，位于所述衬底和所述第二绝缘层之上，且通过所述第二绝缘层与所述多晶硅层予以隔离；

源/漏极，位于所述栅极结构两侧的衬底中，且所述源/漏极具有第二导电类型。

2.如权利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

3.如权利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层和覆盖所述栅氧化层的栅极。

4.如权利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，所述漏极与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均形成接触；

且所述源极不与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成接触。

5.一种DMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有第一导电类型的衬底；

于所述衬底中形成深沟槽，并于所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层后，继续制备多晶硅层充满所述深沟槽；

继续刻蚀去除部分所述第一绝缘层和部分所述多晶硅层，以于所述深沟槽上方形成浅沟槽后，制备第二绝缘层充满所述浅沟槽；

于所述衬底的上方形成栅极结构以将第二绝缘层进行覆盖后，于位于所述栅极结构两侧的衬底中形成具有第二导电类型的源/漏极。

6.如权利要求5所述的DMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

7.如权利要求5所述的DMOS器件的制备方法，其特征在于，采用深反应离子刻蚀的方法于所述衬底中形成深沟槽。

8.如权利要求5所述的DMOS器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层和覆盖所述栅氧化层的栅极。

9.如权利要求8所述的DMOS器件的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为

2-10nm。

10.如权利要求5所述的DMOS器件的制备方法，其特征在于，所述漏极与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均形成接触；以及所述源极不与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成接触。