1.一种倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：制备碳酸锂‑甲酸溶液；

制备碳酸锂‑硼酸溶液；

处理ITO透明阴极；

在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件；

所述倒置结构OLED器件，包括ITO透明阴极，与所述ITO透明阴极连接的强电子注入层，与所述强电子注入层连接的BPhen电子传输层，与所述BPhen电子传输层连接的PBD发光层、与所述PBD发光层连接的CBP空穴传输层、与所述CBP空穴传输层连接的MoO3空穴注入层，与所述MoO3空穴注入层连接的Al阳极。

2.如权利要求1所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备碳酸锂‑甲酸溶液的具体步骤是:

将200mg碳酸锂溶于1ml甲酸中，加入1.25ml水合肼，搅拌至溶液透明；

溶液自然冷却至室温；

加去离子水，制得浓度为1‑7mg/ml的碳酸锂‑甲酸溶液。

3.如权利要求1所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备碳酸锂‑硼酸溶液的具体方式是：将200mg的碳酸锂溶于11.5ml的硼酸溶液(0.05g/ml)中，加入去离子水，制得浓度为3‑10mg/ml的碳酸锂‑硼酸溶液。

4.如权利要求1所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述处理ITO透明阴极的具体步骤是：

将ITO镀膜玻璃片置于添加有蒸馏水和ITO玻璃清洗液的超声清洗仪中重复两次清洗；

将所述超声清洗仪中的蒸馏水和ITO玻璃清洗液更换为丙酮，并重复两次清洗；

将所述超声清洗仪中的丙酮更换为异丙醇，并重复两次清洗；

将所述ITO镀膜玻璃片置于紫外臭氧清洗机里辐射10‑20min得到ITO透明阴极。

5.如权利要求4所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备ITO透明阴极中各个清洗过程的清洗时间为10～20min，超声频率为40KHz。

6.如权利要求4所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述蒸馏水和ITO玻璃清洗液的重量份数比为100∶1‑3。

7.如权利要求1所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后依次沉积所述BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，制备倒置结构OLED器件的具体步骤是：在所述ITO透明阴极上以3000转/min的速度旋转涂覆所述碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，旋涂时长50‑70s；

分别在220‑240℃和310‑330℃的退火台上进行退火15‑30min，制得所述电子注入层；

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在真空度为10 pa的多源热沉积真空室中依次沉积所述BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极。

8.如权利要求7所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于，所述BPhen电子传输层的厚度为15‑35nm；所述PBD发光层的厚度为25‑45nm；所述CBP空穴传输层的厚度为60‑80nm；所述MoO3空穴注入层的厚度为1‑6nm；所述Al阳极的厚度为

100‑200nm。