1.一种存储器件，其特征在于，包括衬底（1）、隔离层（2）、缓冲层（5）、铁电层（7）、第一浮栅金属层（8）、电荷捕获层（9）、隧穿层（10）和栅金属层（11）；

所述衬底（1）两边形成有所述隔离层（2），用于隔离相邻的所述存储器件；

两边的所述隔离层（2）之间的所述衬底（1）上设置有有源区；

所述有源区一边形成源区（3），另一边形成漏区（4）；

所述源区（3）和所述漏区（4）通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成存储器件的外围电路控制；

所述缓冲层（5）覆盖所述隔离层（2）和所述有源区上不与所述金属连线连接的部分；

所述铁电层（7）、所述第一浮栅金属层（8）、所述电荷捕获层（9）、所述隧穿层（10）和所述栅金属层（11）依次设置在所述源区（3）和所述漏区（4）之间的所述缓冲层（5）上；

所述存储器件的制备方法包括如下步骤：

提供衬底（1）；

在所述衬底（1）上形成隔离层（2）；

在所述衬底（1）上形成有源区；

在所述有源区上形成源区（3）和漏区（4）；

去除在形成所述有源区时，在所述有源区表面产生的损伤和污染；

在所述衬底（1）和所述隔离层（2）上形成缓冲层（5）；

在所述缓冲层（5）上形成铁电层（7）；

在所述铁电层（7）上形成第一浮栅金属层（8）；

在所述第一浮栅金属层（8）上形成电荷捕获层（9）；

在所述电荷捕获层（9）上形成隧穿层（10）；

在所述隧穿层（10）上形成栅金属层；

对所述铁电层（7）、所述第一浮栅金属层（8）、所述电荷捕获层（9）、所述隧穿层（10）和所述栅金属层（11）进行刻蚀，保留所述源区（3）和所述漏区（4）之间的部分；

在所述源区和所述漏区（4）上形成金属连线。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述铁电层（7）和所述缓冲层（5）之间设置有第二浮栅金属层（6）。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第一浮栅金属层（8）和第二浮栅金属层（6）为氮化钛、氮化钽、氮化铪、钌、铱、氧化铱、钨和镍中的一种或多种组成的单层或者多层结构。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述衬底（1）包括硅基板、锗基板、砷化镓基板、氧化镓或SOI基板。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述缓冲层（5）包括氧化硅、氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钇、氮化硅或氮化铪。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述铁电层（7）包括氧化铪、氧化锆或掺杂系列氧化铪以及掺杂系列氧化锆。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述电荷捕获层（9）包括氧化铪、氮化硅、氧化钽、氮化铪或掺杂的氧化硅，以及掺杂系列的氧化铪。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述隧穿层（10）包括氧化铪、氮化硅或氧化硅。

9.一种存储器，其特征在于，包括多个如权利要求1‑8任一项所述的存储器件；

多个所述存储器件通过隔离层（2）隔离开。