1.一种SOI-LIGBT器件，其特征在于：其元胞结构包括硅衬底（1）、位于硅衬底（1）上的埋氧层（2），位于埋氧层（2）上的P阱（3），位于P阱（3）上相邻设置的P体区1（4）、N型漂移区（10）、P体区2（16）以及第一氧化层（9）；

P体区1（4）设置于P阱（3）顶部一侧，阴极重掺杂P+区（5）和阴极重掺杂N+区（7）彼此独立地设置于P体区1（4）中、且阴极重掺杂P+区（5）和阴极重掺杂N+区（7）均与阴极（6）相接触；

P体区2（16）设置于P阱（3）顶部另一侧，在P体区2（16）中设有阳极重掺杂N+区（15）并位于其顶部一侧；

N型漂移区（10）设置于P体区1（4）和P体区2（16）之间，在N型漂移区（10）中设有N型缓冲层（11）并与P体区2（16）侧面相接触，N型缓冲层（11）中设置有阳极重掺杂P+区（12）；阳极（13）分别与阳极重掺杂N+区（15）、阳极重掺杂P+区（12）正面部分接触，在阳极（13）与阳极重掺杂N+区（15）、P体区2（16）、阳极重掺杂P+区（12）之间间隔有第二氧化层（14）；

在阴极（6）与阳极（13）之间间隔有第一氧化层（9），第一氧化层（9）表面还设有栅电极（8）。

2.权利要求1所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：第1步，在硅衬底上生长氧化层形成埋氧层，然后在埋氧层上生长P型外延层形成P阱；

第2步，在P阱的两侧离子注入硼、中间离子注入砷，分别形成P体区1、P体区2以及N型漂移区；

第3步，在P体区1中离子注入形成阴极重掺杂P+区和阴极重掺杂N+区，构成器件阴极；

第4步，在N型漂移区中先注入砷形成N型缓冲层，在N型缓冲层中再注入形成阳极重掺杂P+区，作为器件阳极的一部分；

第5步，在P体区2中离子注入形成阳极重掺杂N+区，作为器件阳极的另一部分；

第6步，在器件表面形成氧化层，并在预设位置形成阳电极、阴电极和栅电极；

即制备得到SOI-LIGBT。

3.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：所述第1步中，埋氧层的厚度为1μm，P阱的厚度为5μm。

4.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：所述第2步中，N型漂移区的深度为P阱的9/10。

5.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：所述第2步中，P体区

1的掺杂浓度3e16 cm-3、P体区2的掺杂浓度为2e15 cm-3、N型漂移区的掺杂浓度为1.7e15 cm-3。

6.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：所述第4步中，N型缓-3冲层的掺杂浓度为3e17cm 。

7.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法，其特征在于：所述第5步中，阳极重掺杂N+区与N型缓冲层之间的距离为2µm。