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  • 恩杂鲁胺的固态形式及其制备方法和用途 ¥23800

    本发明涉及恩杂鲁胺的新固态形式,与现有技术相比,本发明恩杂鲁胺的新固态形式具有一种或多种改进的特性,例如良好的溶解度、溶解速度,好的稳定性、有利的加工与处理特性、适于固体制剂应用等。本发明还涉及所述恩杂鲁胺的新固态形式的制备方法、其药物组合物及其用于制备治疗转移性去势耐受前列腺癌等疾病的药物中的用途。
  • 废铝再生中去除铁和硅杂质的方法 ¥15600

    一种废铝再生中去除铁和硅杂质的方法,属于有色金属再生回收除杂领域。将硼砂20-30%、氯化锰20-30%、氯化钙10-20%、氧化钙10-20%、碳酸镁5-10%、硫磺5-10%和填料10-20%投入搅拌容器中混合,得到除铁熔剂;将硫化钙30-50%、活性炭20-40%、硫磺5-10%、氧化钙10-20%和填充料10-20%投入搅拌容器中混合,得到除硅熔剂;将废铝投入熔炼炉中熔化,再向废铝熔液中加入除铁熔剂,对废铝熔液搅拌,加入除硅熔剂,搅拌后静置,得到废铝熔液;对废铝熔液进行吹气精炼,静置,得到去除铁和硅杂质元素的废铝熔体。不会影响铝的得率,而铁和硅杂质元素显著降低;无损环境;步骤简单。
  • 去除废铝再生中镁杂质元素的方法 ¥15600

    一种去除废铝再生中镁杂质元素的方法,属于有色金属再生利用技术领域。步骤:将氯化锰10-30%、氯化钙10-30%、氟化铝10-30%、活性炭5-20%、氧化钙≤20%和碳酸镁5-20%投入搅拌容器中混合,得到除镁熔剂;将废铝投入熔炼炉中熔化为废铝熔体,再加入除镁熔剂,待除镁熔剂加入完毕后静置,得到加有除镁熔剂的废铝熔体;待废铝熔体中的镁氧化物和/或镁化合物浮至废铝熔体表面时以扒渣方式将镁氧化物和/或镁化合物扒除,而后再次静置,静置后出炉浇注,得到去除废铝中镁杂质元素的再生铝合金。不会影响铝的得率,铝熔体的杂质元素镁得以显著降低;无损环境;工艺步骤短、可满足工业化大生产要求。
  • 一种哌啶类离子液体催化氧化燃油脱硫的方法 ¥15600

    本发明公开了一种哌啶类离子液体催化氧化燃油脱硫的方法,以哌啶类离子液体为催化剂,将催化剂溶解在溶剂中,再与燃油混合,搅拌条件下再加入过氧化氢水溶液,反应温度为10~50℃,反应时间为0.5~3h,反应结束后分离出上层油相即为脱硫后的油品。本发明方法所用催化剂催化脱硫效率高,可达到97.1%。反应在常温常压下进行,不需要氢气和加压设备,对人和环境无害。反应结束后分离方便,只需简单倾倒,油品回收率高。
  • 七叶一枝花的生态栽培方法 ¥10200

    一种七叶一枝花的生态栽培方法,涉及种植业技术领域,主要包括选地、栽培、管理、病虫害防治和采收等步骤。采用本方法能够实现七叶一枝花的规范化种植,而且生长周期短、产量可提高30%以上;由于主要采用有机肥,并限制使用农药,入药根茎符合《中国药典》2010年版一部“重楼”项下的各项规定,且农药残留、重金属等有害物质均低于标准规定;成本得以降低,并且入药质量得到保障。并因其种植和加工对各种化学污染又有严格要求,在创造社会经济效益的同时,还带来了良好的生态环境效益。
  • 一种含植物和真菌多糖的虫草组合物及其制备方法 ¥17400

    本发明公开了一种含植物和真菌多糖的虫草组合物及其制备方法,将食药用菌、中草药原料分别微波水提、浓缩备用。食药用菌滤渣超声辅助酶解、过滤、调配成液体培养基,灭菌后接入冬虫夏草菌种发酵、收集得冬虫夏草菌丝体;再将中草药滤渣调配成固体培养基,灭菌后接入蛹虫草菌种发酵培养,所得蛹虫草超声醇提、微波水提、浓缩;最后将菌丝体和全部浓缩液合并均质、干燥制备得虫草组合物。本组合物含有虫草素和腺苷、植物和真菌多糖等多种成分,营养均衡、自然醇厚、食用便携。同时以液体、固体培养方式对资源再利用提升产品附加值,是一种工艺环保、制备方便兼具有显著经济和社会效益的生产技术。
  • 高浓度含PVA退浆废水处理方法与装置 ¥16800

    本发明涉及一种高浓度含PVA退浆废水的处理方法和装置,包括废水调节池、混凝沉淀池、盐析池、高级氧化反应沉淀池、隔板式缺氧厌氧反应池、好氧池和二沉池;混凝沉淀池、盐析池和高级氧化反应沉淀池包括混合搅拌区和沉淀区,隔板式缺氧厌氧反应池包括通过挡流板分隔成的兼氧段、缺氧段和厌氧段;废水经调节池调节水量和pH值,然后进入混凝沉淀池与混凝剂混合反应,进入盐析池进行盐析反应,在高级氧化反应沉淀池里污染物被氧化分解,再进入隔板式缺氧厌氧反应池、好氧池进行缺氧、厌氧和好氧反应,经沉淀后达标排放;本发明结构简单,制造成本较低,具有非常好的处理效果。
  • 一种碳改性CaCu3Ti4O12高介电材料的制备方法 ¥9600

    本发明涉及CCTO介电材料,特指一种碳改性CaCu3Ti4O12高介电材料的制备方法。本发明采用溶胶-凝胶法制备CCTO纳米粉体,并以其为原料制备碳改性的CCTO粉体及陶瓷;碳作为一种晶粒拟制剂,在烧结过程中影响界面能,进而阻止晶粒的异常长大,得到晶粒分布更为均匀致密性更好的CCTO陶瓷,通过改变碳的量来制备不同晶粒尺寸的陶瓷;实验结果发现碳改性的CCTO陶瓷具有良好的烧结性能,经过1000℃烧结6小时后的陶瓷具有更低的介电损耗。
  • 一种木质板材成型机床夹紧装置 ¥16800

    本发明公开了一种木质板材成型机床夹紧装置,包括柔性头组件、夹紧用液压缸、柔性头安装座。夹紧用液压缸的伸缩带动着柔性头安装座包括柔性头组件左右移动,夹紧用液压缸向右动作时柔性头组件逼近方木。当柔性头组件处于未接触方木时,在拉簧作用下,小滚轮、大滚轮的公切面同方木的左侧面的夹角成一锐角,同方木接触的过程中,小滚轮先同方木左侧面接触挤压,因平行四边形结构,杆件绕大滚轮轴线转动,直到小滚轮、大滚轮同方木左侧面完全接触,这种侧向夹紧装置能夹紧侧面凹凸程度严重的方木。
  • 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 ¥16800

    本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法,该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层,第二层为GaSb量子点,第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层,第四层为GaSb量子点;其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后,生长4~5ML GaSb量子点,再生长缓冲层,最后再生长4~5ML GaSb量子点;本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点,其形貌质量好、光学性能佳;本发明方法有效避免了As‑Sb互换,显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。
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