一种提高聚偏氟乙烯gamma相的成核方法,包括有以下步骤:1)以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制浓度为5%聚偏氟乙烯(PVDF)/羧基化聚酰胺胺溶液(PAMAM‑COOH);2)将步骤1)中的溶液滴入载玻片上,并在70℃真空烘箱中固化成膜;3)将步骤2)制得的固化膜在200℃的热台上熔融消除热历史,然后快速降温到155℃恒温结晶,至共混膜完全结晶;本发明γ相聚偏氟乙烯介电膜的制备方法工艺简单、操作方便、且性能优异,如耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强,可实现作为一种耐高温功能性高分子材料,在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。