本发明公开了一种透明颌套组件，包括左侧垫块、右侧垫块和透明颌套，所述透明颌套由用于安装左侧垫块的左凹槽部、用于安装右侧垫块的右凹槽部、以及连接左凹槽部和右凹槽部的弧面部组成，所述弧面部的形状与口腔上腭的形状相配；所述透明颌套上还设置有与牙齿腭舌侧上的倒凹配合的凹形固位部。本发明利用透明颌套安装固定左侧垫块、右侧垫块，透明颌套通过一体成型在其上的凹形固位部与牙齿腭舌侧上的倒凹配合，实现固定佩戴在口腔上颌上，由于透明颌套与口腔上颌的贴合舒适度高，解决了现有颌垫佩戴舒适性差的技术问题，且颌套位于上颌牙内侧，不会对上颌牙外侧粘贴正畸附件产生影响。

本发明针对现有线切割加工以直线的形式进行贯穿式切割、无法实现诸如“U”字形等半封闭结构的侧面或侧斜面切割加工问题，提出一种半封闭侧斜面的弯曲线切割加工的解决方案，装置包括机床主轴，运动控制系统，电源及放电检测系统，工作液循环供给系统，切割丝，张力传感器，放丝机构，导杆，第一导轮，第一伸缩机构，高度调节机构，第二伸缩机构，第二导轮和第三导轮等。本发明提供的一种半封闭侧斜面的弯曲线切割加工装置，可有效针对半封闭侧斜面进行线切割加工，可用于大型结构件或难切削材料的粗加工。

本发明针对现有线切割加工以直线的形式进行贯穿式切割、无法实现诸如“U”字形等半封闭结构的切割加工问题，提出一种非贯穿式弯曲线切割加工的解决方案。涉及的装置包括机床主轴、运动控制系统、电源及放电检测系统、工作液循环供给系统、第一导杆、第二导杆以及导杆间距调节机构等。本发明所述的装置和方法可将工件毛坯材料以块状、非贯穿地、整体式切割移除，特别适用于极端制造背景下，大型构件以及难加工材料在粗加工阶段的高效、低成本的材料去除。

本发明公开了一种基于水射流的毛竹竹筒高效去竹青装置，该去竹青装置包括水射流发生单元、定位支撑单元、夹持旋转推进单元；水射流发生单元用于形成切割竹青（201）的水射流110），水射流（110）的喷射方向相切于竹青201）的内壁侧且靠近竹肉（203）外壁侧的圆柱面；定位支撑单元用于支撑定位竹筒（200）并提供竹筒（200）行进的通道；夹持旋转推进单元用于夹持定位竹筒（200）的端部并沿竹筒（200）的轴向旋转推进竹筒（200）行进，使得水射流（110）能够持续切割竹青（201）。本发明的装置利用水射流的高性能切割特性，提高竹筒去竹青的加工效率、降低表面粗糙度并解决加工精准性和稳定

本发明公开了一种采用激光和磨料射流进行生物质材料复合加工的方法，该方法的步骤如下：首先利用激光发生装置（2）产生激光束（3）作用在生物质材料（4）上，生物质材料（4）在被高温气化的同时产生有害炭化层；同时利用射流发生装置（11）产生低压射流，并在低压射流中添加磨料（9），低压射流和磨料（9）通过喷头（7）喷出后形成磨料射流（6）；其次，将磨料射流（6）喷向炭化层（5），炭化层（5）连同其结合部的生物质材料4）被切除并冲刷走。本发明的方法能够解决激光加工生物质材料的炭化烧蚀难题，通过低压磨料射流辅助在线切除激光加工生成的炭化层，加

本发明公开了一种大耕深旋耕刀表面喷涂重熔一体化加工方法，该加工方法步骤为：对旋耕刀表面预处理至露出基体材料；安装旋耕刀并定位电弧喷枪和感应线圈；旋耕刀待喷涂的部位进行出油与清洗；能够沿着旋耕刀的设置方向行进的电弧喷枪利用压缩空气将熔化的材料雾化成微熔滴喷涂到旋耕刀的表面上形成致密的涂层，且涂层和旋耕刀的基体之间为机械结合状态；同时，能够沿着旋耕刀的设置方向行进的感应线圈对旋耕刀进行感应加热，利用涡流产生的热量瞬间熔化旋耕刀的涂层和基体表层，使旋耕刀上的机械结合状态形成冶金结合。本发明的加工方法通过构建表面喷涂‑感应重熔一体化加工，得到的耐磨涂层的涂层致密、与基体结合效果好。

本发明公开了一种旋耕刀表面耐磨涂层的抛光打磨加工装置，包括机架（1），其特征在于：该机架（1）上布置有用于固定和调整旋耕刀（7）位置的旋耕刀调整装置、用于固定和调整抛磨轮位置的抛磨轮调整装置，旋耕刀调整装置能够分别沿X轴和Y轴方向调整旋耕刀（7）的位置、以及能够带动旋耕刀（7）旋转；抛磨轮调整装置能够沿Z轴方向调整抛磨轮的位置且抛磨轮调整装置能够调整成对设置的抛磨轮的间距，旋耕刀（7）能够伸入两抛磨轮之间。本发明的抛光打磨加工装置能够全面覆盖旋耕刀刀面、实现不同规格型号、不同涂层厚度的旋耕刀表面抛磨，且抛磨效率高、作业平稳性、进给柔顺性，安全性高。

本发明公开了一种具过氧化物模拟酶性质的MXene量子点及其制备方法和检测谷胱甘肽的方法，该制备方法包括：将Ti2C3于浓硝酸中进行回流处理，接着将体系的pH调节至碱性，然后后处理，以得到MXene量子点。该具有过氧化物模拟酶性质的MXene量子点能够作为模拟酶对谷胱甘肽进行定量检测，以提高谷胱甘肽的检测的准确性；同时该制备方法具有工序简单和条件温和的特性。

本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1‑yGey层、Si1‑xGex层、第二驰豫Si1‑yGey层、应变Si1‑rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0<r<1，0<y<r，0<x<1，其中所述应变Si1‑rGer层中r由上至下逐渐减小。此结构可以使金属氧化物半导体场效应晶体管和异质结双极晶体管同时达到高性能，并与现有的Si加工工艺完全兼容，在现有的工艺条件下，由此层结构构成的双极互补金属氧化半导体器件很容易实现。

本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。