1.一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S1：将GaN HEMT器件建模为小信号等效电路模型；

步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数；

步骤S3：提取内部本征参数；

步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpgd，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数；

所述步骤S3还包括如下步骤：

在提取完外部寄生参数后，通过在偏压工作点下测量器件的S参数，并利用矩阵网络变换公式去嵌掉外部寄生参数，获得器件的本征Y参数；提取本征参数的表达式如下所示：；

；

获取器件跨导最大点作为器件选定的工作点，通过上式得到0 40 GHz内该偏置下的各~本征参数提取值曲线；

计算得到各个本征参数在全频段的平均值；定义模型误差为：；

其中SSim,ij是仿真S参数数据，SMea,ij是测试S参数数据；

设模型误差的上下限差值为γ，设某频点下某一本征参数的提取值为A，令：；

其中， 为该本征参数全频段内的平均值， 为该频点下的提取值与全频段平均值的比值；

将某一本征参数提取值A代入电路模型进行仿真，其他本征参数取全频段平均值，计算不同 与其对应的模型精度误差上下限 ，取 最低点的值作为该本征参数的提取值；以此提取所有内部本征参数。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，GaN HEMT器件的栅长为100 nm，总栅宽为75 um，其中，单指栅宽为37.5 um，栅指数为2。

3.根据权利要求2所述的GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，步骤S2中，提取外部寄生电容时，包括如下步骤：在低频条件下和沟道关断状态下，将GaN HEMT器件的小信号等效电路简化为仅包含电容的电路模型；

测试器件去嵌后的S参数，去嵌后器件Y参数的虚部与角频率呈如下式所述的线性关系：；

采用退火算法优化寄生电容的提取，其中，Cpg、Cpd、Cpgd为外部寄生电容，Cgs、Cds、Cgd为截止条件下沟道电容值；在器件处于截止状态时，认为栅源、栅漏的耗尽区宽度相同，即Cgs=Cgd=Cb且Cds=0；

首先，初始化电容Cpg、Cpd、Cb为小值，并通过仿真计算与实测数据的误差，逐步调整其值，最终得到最优电容值；

接着，优化Cpgd，初始值设为0，通过仿真调整至最小误差时，得到Cpgd；最后，优化Cgs和Cgd，通过退火算法得到Cgs、Cgd；最终得到优化后的外部寄生电容值。

4.根据权利要求2所述的GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，步骤S2中，提取外部寄生电感时，包括如下步骤：在冷场‑截止条件下，高频下的等效电路模型忽略了容抗，并考虑了沟道分布电阻 Rc的影响，通过对等效电路中的Z参数进行推导，得到其虚部的表达式，并以 为横坐标、虚部为纵坐标作图；由此，从曲线的斜率中提取出三个寄生电感 的值，具体的提取公式见下：

；

其中，Rg、Rs、Rd为寄生电阻值，Lg、Ls、Ld为寄生电感值，Cg、Cs、Cd为寄生电容值；对上述三个等式左右同时乘角频率 可以得到Z参数的虚部为：；

以 为横坐标、 的虚部为纵坐标做直线，其直线斜率即为三个寄生电感的提取值。