1.一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使用半导体参数分析仪对漏极和栅极施加电压，测量GaN HEMT器件的饱和漏电流，并计算耗散功率；

步骤2、利用红外热像仪测试GaN HEMT器件的工作结温T；

步骤3、利用有限元软件建立GaN HEMT器件电热耦合模型，根据步骤2得到的所述工作结温校准GaN HEMT器件电热耦合模型，得到器件电热耦合模型；

步骤4、利用所述器件电热耦合模型获取GaN HEMT器件的结温分布，根据所述GaN HEMT器件的结温分布建立一维热源模型；

步骤5、利用有限元软件根据所述一维热源模型建立三维热模型，并对三维热模型进行调整，使其与校准后的器件电热耦合模型仿真结果一致，得到GaN HEMT器件热源模型。

2.根据权利要求1所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤2具体过程为：利用红外热像仪分别测试不同耗散功率、恒定耗散功率条件下GaN HEMT器件的工作结温，当测试不同耗散功率下GaN HEMT器件的工作结温时，通过调节栅极或漏极电压使耗散功率在0‑10W/mm范围内波动；当测试恒定耗散功率下GaN HEMT器件的工作结温时，同时改变栅极和漏极电压。

3.根据权利要求1所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤3具体包括以下步骤：

步骤3.1、采用步骤二中的栅极电压和漏极电压偏置条件，基于GaN HEMT器件的电极、衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、场板的尺寸特征和材料特征，在有限元软件上建立GaN HEMT器件电热耦合模型；

步骤3.2、求解GaN HEMT器件电热耦合模型，得到GaN HEMT器件各区域的结温分布，获取该偏置条件下沟道最大温度TMAX0、平均温度TAVG0；

步骤3.3、重复步骤3.1‑3.2，直至平均温度TAVG0与步骤2得到的工作结温T相等，得到器件电热耦合模型。

4.根据权利要求3所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤

3.1中所述材料特征包括禁带宽度、极化强度、金属功函数、电子亲和能、AlGaN势垒层合金组分、载流子迁移率、介电常数、AlGaN/GaN界面导带差、有效质量、导带和价带有效态密度，以及热导率、质量密度、比热容参数；所述电极的尺寸特征包括栅极长度、栅极宽度、栅漏间距和栅源间距，衬底的尺寸特征包括衬底厚度，GaN缓冲层的尺寸特征包括GaN缓冲层厚度，AlGaN势垒层的尺寸特征包括AlGaN势垒层厚度，场板的尺寸特征包括场板厚度。

5.根据权利要求1所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤4具体为：利用所述器件电热耦合模型提取沿沟道方向单位面积的热分布，并对垂直沟道方向的热分布进行积分，得到沿沟道方向的一维热源模型。

6.根据权利要求1所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤5具体包括以下步骤：

步骤5.1、利用所述一维热源模型，采用步骤三中的栅极电压和漏极电压偏置条件，基于电极、衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、场板的尺寸特征和材料特征，在有限元软件上建立三维热模型；

步骤5.2、求解不同耗散功率下所述三维热模型得到沟道温度的最大值TMAX1、平均值TAVG1；

步骤5.3、重复步骤5.1‑5.2，直至最大值TMAX1、平均值TAVG1与最大温度TMAX0、平均温度TAVG0相等，得到GaN HEMT器件热源模型。

7.根据权利要求6所述的一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，其特征在于，步骤

5.1中所述材料特征包括热导率、质量密度、比热容参数；所述电极的尺寸特征包括栅极长度、栅极宽度、栅漏间距和栅源间距，衬底的尺寸特征包括衬底厚度，GaN缓冲层的尺寸特征包括GaN缓冲层厚度，AlGaN势垒层的尺寸特征包括AlGaN势垒层厚度，场板的尺寸特征包括场板厚度。