1.一种双T型MIM电容等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：S301，建立预设尺寸的MIM电容模型；

S302，电磁仿真获取MIM电容的S参数；

S303，建立双T型MIM电容等效电路模型；

S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，其中，所述元器件包括有效电容、低频寄生电阻、高频寄生电感、高频寄生电阻、串联电感一、串联电感二、介质电容一、介质电容二、衬底寄生电阻一、衬底寄生电阻二、衬底寄生电容一和衬底寄生电容二；

所述S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，包括以下步骤：S401，将MIM电容的S参数转化为Z参数；

S402，将双T型MIM电容等效电路模型划分为第一模块、第二模块、第三模块、第四模块、第五模块以及第六模块，其中，所述第一模块为所述串联电感一；所述第二模块为所述有效电容和所述低频寄生电阻组成的结构；所述第三模块为所述介质电容一、所述衬底寄生电阻一和所述衬底寄生电容一组成的结构；所述第四模块为所述高频寄生电感和所述高频寄生电阻组成的结构；所述第五模块为所述串联电感二；所述第六模块为所述介质电容二、所述衬底寄生电阻二和所述衬底寄生电容二组成的结构；

S403，将六个模块划分为partI、partII，所述partI由所述第一模块、所述第二模块和所述第三模块组成，所述partII由所述第四模块、所述第五模块和所述第六模块组成；

S404，根据所述Z参数计算所述partI的Z参数以及所述partII的Z参数；

S405，根据所述partI的Z参数、所述partII的Z参数以及所述计算公式计算各元器件的参数；

所述S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，具体为将双T型MIM电容等效电路模型划分为第一模块、第二模块、第三模块、第四模块、第五模块和第六模块，第一模块、第二模块和第三模块组成partI，第四模块、第五模块和第六模块组成partII，partI和partII均为T型网络，根据T型网络的Z参数计算公式，得到等效电路模型中各个元器件的参数值；将S参数根据参数转换公式转换为Z参数，得到Z参数之后，根据计算出A1、B1、C1、A2、B2和C2，其中Z表示等效电路模型的Z参数，A1为第一模块的Z参数，B1为第二模块的Z参数，C1为第三模块的Z参数，A2为第四模块的Z参数，B2为第五模块的Z参数，C2为第六模块的Z参数。

2.根据权利要求1所述的双T型MIM电容等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，所述计算公式包括：A1＝jωLs1

C2＝jωLs2

其中，Ceff为所述有效电容，Rs为所述低频寄生电阻，Rsk为所述高频寄生电阻，Lsk为所述高频寄生电感，Ls1为所述串联电感一，Ls2为所述串联电感二，Cox1为所述介质电容一，Cox2为所述介质电容二，Rsi1为所述衬底寄生电阻一，Rsi2为所述衬底寄生电阻二，Csi1为所述衬底寄生电容一和，Csi2为所述衬底寄生电容二，ε0为自由空间介电常数，εr为所述MIM电容介质层的介电常数，w为所述MIM电容上下金属极板的交叠面积的宽度，l为所述MIM电容上下金属极板的交叠面积的长度，d为所述MIM电容上下金属极板之间的距离。

3.根据权利要求1所述的双T型MIM电容等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，所述S304后还包括：S501，根据各元器件的参数值以及ADS仿真系统对等效电路模型进行仿真；

S502，根据等效电路模型拟合结果与电磁仿真获取的MIM电容的S参数调整各元器件的参数值，使得模型拟合结果与电磁仿真结果之间的误差达到预设值。

4.一种双T型MIM电容等效电路模型，其特征在于，执行权利要求1至3任一所述方法，包括有效电容、低频寄生电阻、高频寄生电感、高频寄生电阻、串联电感一、高频寄生电感、高频寄生电阻、串联电感二、介质电容一、衬底寄生电阻一、衬底寄生电容一、介质电容二、衬底寄生电阻二以及衬底寄生电容二，其中，所述有效电容，用于表征MIM电容的有效电容；

所述低频寄生电阻，用于表征MIM电容金属极板低频下的欧姆损耗；

所述高频寄生电感和高频寄生电阻，用于表征MIM电容高频下金属导体的趋肤效应；

所述串联电感一的第一端与整体等效电路模型的第一端电连接，所述串联电感一的第二端与所述有效电容的第一端电连接；

所述串联电感二的第二端与整体等效电路模型的第二端电连接；

所述有效电容的第二端与所述低频寄生电阻的第一端电连接，所述低频寄生电阻的第二端与所述高频寄生电感的第一端电连接；

所述高频寄生电感和高频寄生电阻，所述高频寄生电感的第二端与所述串联电感二的第一端电连接，所述高频寄生电阻与所述高频寄生电感并联；

所述介质电容一的第一端与所述串联电感一的第二端电连接，所述介质电容一的第二端与所述衬底寄生电容一的第一端电连接，所述衬底寄生电容一的第二端接地，所述衬底寄生电阻一与所述衬底寄生电容一并联；

所述介质电容二的第一端与所述高频寄生电感的第二端电连接，所述介质电容二的第二端与所述衬底寄生电容二的第一端电连接，所述衬底寄生电容二的第二端接地，所述衬底寄生电阻二与所述衬底寄生电容二并联。