1.一种单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，包括：转盘、缓冲胶垫和环形压板，所述转盘顶部同心设置有向上延伸的定位环，所述缓冲胶垫套设在定位环外侧，所述环形压板设置在缓冲胶垫上方，所述环形压板上间隔设置有数个单晶硅片定位槽，所述单晶硅片定位槽底部延伸至缓冲胶垫表面，所述环形压板上内凹设置有位于单晶硅片定位槽外侧的环形导流槽，所述环形压板边缘径向设置有途径环形导流槽并延伸至单晶硅片定位槽的排废槽。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述转盘与定位环采用一体化钢结构。

3.根据权利要求2所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述定位环中部设置有向下延伸至转盘底面的阶梯孔。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述环形压板和缓冲胶垫上分别设置有与定位环对应的通孔。

5.根据权利要求1所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述转盘上间隔设置有数个定位孔，所述环形压板底部设置有向下延伸至定位孔中的定位柱。

6.根据权利要求5所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述环形压板与定位柱采用一体化塑料结构。

7.根据权利要求5所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述缓冲胶垫上设置有与定位柱一一对应的插孔。

8.根据权利要求1所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述环形导流槽的深度小于环形压板的厚度，所述排废槽的深度与环形压板的厚度相同。

9.根据权利要求1所述的单晶硅片表面打磨处理用排废工装，其特征在于，所述缓冲胶垫采用弹性硅胶垫。