1.一种单晶硅表面抛光方法，包括：采用非牛顿流体对单晶硅材料进行表面抛光处理，所述非牛顿流体由无机粉末、液体剂、增稠剂混合形成，所述无机粉末至少含有氧化铝或氧化铈，所述增稠剂含有聚乙烯醇和聚谷氨酸改性复合物，以及还含有羧甲基纤维素钠、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素中至少一种；

聚谷氨酸改性复合物由聚谷氨酸与改性剂、微米二氧化硅共同混合进行改性制成，聚谷氨酸改性物的使用量为微米二氧化硅的6‑18wt%；聚谷氨酸改性复合物中含有阳离子改性聚谷氨酸、胺醛化改性聚谷氨酸或杂化改性聚谷氨酸；所述阳离子改性聚谷氨酸由阳离子改性剂对聚谷氨酸改性得到，胺醛化改性聚谷氨酸由二乙醇胺、甲醛对聚谷氨酸改性得到，杂化改性聚谷氨酸由胺醛化改性聚谷氨酸与阳离子改性剂混合反应得到。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面抛光方法，其特征是：所述液体剂为去离子水或水醇混合液。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面抛光方法，其特征是：所述阳离子改性剂为3‑氯‑2‑羟丙基三甲基氯化铵。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面抛光方法，其特征是：所述无机粉末中含有微米二氧化硅。

5.权利要求1‑4任一所述方法抛光后得到的单晶硅材料。

6.一种单晶硅表面清洗方法，包括：采用清洗液对权利要求1‑4任一所述方法抛光后的单晶硅表面进行清洗，所述清洗液包括酸性清洗液或碱性清洗液，酸性清洗液应用于碱性清洗液之前。

7.根据权利要求6所述的一种单晶硅表面清洗方法，其特征是：所述酸性清洗液中含有盐酸、过氧化氢和水。

8.根据权利要求6所述的一种单晶硅表面清洗方法，其特征是：所述碱性清洗液中含有氢氧化钾、十二烷基苯磺酸钾和水。