1.一种单晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，将硅棒切割分为多个硅片样本；

硅片样本的磨削区域为圆形，切割的厚度以制造行业的标准来定，若在集成电路制造中，硅片的厚度在75 100微米之间；

若在光伏行业的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米（0.15毫米到0.2毫米）之间；

设定硅片样本的磨削阶段，分为磨削准备阶段、磨削加工阶段与磨削后处理阶段；

获取n个硅片样本，进行编号，生成硅片样本集合E，表示为E={ ， ，...， }，其中表示为第i个硅片样本，n为硅片样本个数；

将硅片样本的切割面标记为磨削面，磨削面表面为圆形；

设定投射时间间隔，记为Q；

设置投射光源对磨削面进行投射的角度范围区间，为[0°，180°]；

在磨削面上设置两条相互垂直的基准线，分别记为基准线P与基准线I；

基准线的交点设置在磨削面的圆心处；

将基准线P标记为纵向线，基准线I标记为横向线；

在磨削面上，作垂直于纵向线的半圆形截面，标记为截面Z，作垂直于横向线的半圆截面，标记为截面X；

通过投射光源沿着半圆形截面进行投射，投射方式分为第一投射方式与第二投射方式；

所述第一投射方式为，投射光源沿着截面Z上的边缘对磨削面进行投射；

所述第二投射方式为，投射光源沿着截面X上的边缘对磨削面进行投射；

根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合U与光照分析图集合Y；

所述光照分析图为，投射光源在某一角度向磨削面进行投射形成的光照区域，该光照区域用于获取磨削面的凸起区域以及凹陷区域；

凹陷区域由于低于周围表面，投射光源进行照射时，凹陷的底部无法被直接照亮，导致阴影区域加深，凹陷区域的边缘较陡，投射光源会在边缘处聚焦，使得凹陷边缘出现明亮的高光区域；

根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域；

在磨削加工阶段开始时，针对凸起区域与凹陷区域，执行磨削策略。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合U与光照分析图集合Y，包括：根据投射时间间隔与角度范围区域，设定投射角度变化值，记为W°；

设定投射光源角度变化规律；

所述投射光源角度变化规律分，每经过一次投射时间间隔，根据投射角度变化值对投射光源的角度进行增加；

在磨削准备阶段开始时，将投射光源角度设置为0°，并且通过投射光源以第一投射方式对磨削面进行投射；

获取通过第一投射方式生成的光照分析图集合，组成为集合U；

投射光源执行第一投射方式结束后，将投射光源角度设置为0°，并且以第二投射方式对磨削面进行投射；

获取通过第二投射方式生成的光照分析图集合，组成为集合Y。

3.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域，包括：根据投射光源的角度范围区间进行划分，分为[0°，90°]，[90°，180°]两个区间；

对划分的区间进行标记，分别记为第一角度范围区间与第二角度范围区间；

根据光照分析图集合U与集合Y，获取在第一角度范围区间中，投射光源根据投射光源角度变化规律对磨削面形成的光照分析图，并且组成集合，分别记为集合A与集合B；

并且获取在第二角度范围区间中，投射光源根据投射光源角度变化规律对磨削面形成的光照分析图，并且组成集合，分别记为集合C与集合D；

根据集合A、集合B、集合C和集合D中的元素，执行阴影区域获取策略。

4.根据权利要求3所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据集合A、集合B、集合C和集合D中的元素，执行阴影区域获取策略，包括：针对某一集合，获取随机一组的相邻元素，进行标记，记为第一元素与第二元素；

所述随机一组，表示为在集合中任意选取两张相邻的光照分析图；

获取第一元素与第二元素中所有的阴影区域，组成第一集合与第二集合；

根据第一集合与第二集合，执行阴影区域匹配策略，分别获取集合A、集合B、集合C，集合D中相同边的位置信息。

5.根据权利要求4所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述阴影区域匹配策略，包括：S1：在光照分析图中，建立平面直角坐标系，用于获取阴影区域边缘的位置信息；

S2：获取相邻元素的两个阴影区域，将这两个阴影区域中阴影图案分别组成集合，分别记为集合V与集合B；

S3：对集合V与集合B进行阴影区域筛选；

所述图案筛选为，对两个集合内的图案，筛选出存在相同边的阴影区域，且获取其相同边的位置信息，组成集合；

筛选步骤为：

根据集合V与集合B中的阴影区域，获取存在相同边两个阴影区域，且这两个阴影区域不属于同一个集合，则将这两个阴影区域归为一组，标记为边缘相似组；

若在边缘相似组中，阴影区域面积大的区域覆盖住阴影区域面积小的区域，则获取其相同边的位置信息；

根据集合A、集合B、集合C，集合D，分别获取每个集合中的所有相同边的位置信息，组成集合，记为集合F。

6.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域，包括：对集合F中的相同边位置信息，进行匹配；

匹配规则为，若有四条相同边能够组成闭合区域，则将该四条边从集合F中剔除，并且归为一组，标记为闭合区域组；

将闭合区域组中四条相同边形成的闭合区域标记为凸起区域；

通过光敏传感设备获取集合A、集合B、集合C，集合D中元素的亮度，并且获取亮度值最高的边缘，记为高亮度边缘；

获取高亮度边缘所包围的区域标记为凹陷区域，并且获取该边缘附近亮度值最低的点位，记为磨削点位。

7.根据权利要求6所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于：所述在磨削加工阶段开始时，针对凸起区域与凹陷区域，执行磨削策略，包括：若磨削面上存在凹陷区域与凸起区域，则获取磨削点位；

以磨削点位为底面，对整个磨削面进行磨削；

若磨削面上存在凸起区域，并且不存在凹陷区域，则获取所有的凸起区域，对凸起区域进行磨削。