1.一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层(1)，其特征在于，所述衬底层(1)的上方连接有缓冲层(2)，所述缓冲层(2)上方连接有AlGaN背势垒层(3)，所述AlGaN背势垒层(3)的上方连接有GaN沟道层(4)，所述GaN沟道层(4)的上方连接有第一AlGaN势垒层(5)，所述第一AlGaN势垒层(5)的上方连接有第二AlGaN势垒层(6)，且第二AlGaN势垒层(6)上连接有钝化层(7)；

所述第一AlGaN势垒层(5)中Al组分沿远离GaN沟道层(4)方向线性递增，且第一AlGaN势垒层(5)中递增至最大的Al组分值与第二AlGaN势垒层(6)中固定Al组分值相等；

所述第二AlGaN势垒层(6)上安装有栅极(8)，其中栅极(8)包括栅帽以及固定在栅帽中部的栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。

2.根据权利要求1所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第一AlGaN势垒层(5)、第二AlGaN势垒层(6)的两侧分别连接有源极(9)与漏极(10)，源极(9)和漏极(10)均为欧姆接触。

3.根据权利要求2所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述衬底层(1)的材料为SiC、蓝宝石、Si或金刚石中的一种，且衬底层(1)厚度设置为1‑

3μm。

4.根据权利要求2所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)材质为GaN、AlGaN、InAlGaN和InGaN中的任意一种，缓冲层(2)厚度设置为1‑3μm。

5.根据权利要求4所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述AlGaN背势垒层(3)中Al组分固定为0.05‑0.2，其厚度为10‑20nm。

6.根据权利要求5所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第一AlGaN势垒层(5)与第二AlGaN势垒层(6)构成复合势垒层，第一AlGaN势垒层(5)靠近GaN缓冲层(2)侧的Al组分为0，靠近第二势垒层一侧Al组分为xmax＝0.3‑0.5，且第一AlGaN势垒层(5)的厚度设置为15‑20nm。

7.根据权利要求6所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第二AlGaN势垒层(6)中固定Al组分为xmax＝0.3‑0.5，且第二AlGaN势垒层(6)的厚度设置为5nm。

8.根据权利要求7所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第二AlGaN势垒层(6)上表面蚀刻有凹槽(11)，凹槽(11)深度为5‑15nm，栅极(8)嵌入在凹槽(11)中。

9.根据权利要求7所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述栅极(8)长度Lg＝0.1μm，栅宽为1μm，其栅帽长度为1μm，栅脚高度为0.2μm，且栅极(8)为肖特基接触；

栅极(8)到源极(9)的距离Lgs＝1.1μm，栅极(8)到漏极(10)的距离Lgd＝1.6μm。

10.根据权利要求9所述的一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN沟道层(4)的厚度为200‑400nm；

钝化层(7)材料设置为Si3N4、SiO2、Al2O3中的一种，且钝化层(7)厚度为50‑100nm。